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Veja na lista abaixo os produtos mais importados para este NCM.

   Ordens de importação do NCM - 85412920 : Outros transistores, montados, exceto os fototransistores

MODULO CELULA IGBT SKM300GB17E4 SEMIKRON (SOLAR), DE TRANSISTOR, MONTADO. - IGBT MOUDLE-SEMIKRON-SKM30GB17E4
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6SY7000-0AD50 TRANSISTOR IGBT MONTADO 1800A 1600V PARTES E PECAS DE INVERSOR DE FREQUENCIA (P/N: 6SY70000AD50)
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100201679 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 1909-KI08758A05A.MC, 1909-KI08756A0EA.MC, 1909-KI08759A0FA.MC, 1909-KI08939A0F.MC, 1909-KI08603A00B.MC, 1909-KI08758A0DB.MC, 1909-Kl08759A
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100201679 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 1909-KI08759A09.MC, 1911-KJ00169A0B.MC, 1909-KI08970A0G.MC, 1909-Kl08971A02.MC, 1909-KI08971A0C.MC, 1910-KI08754A05A.MC, 1909-K108938A0E.M
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 120A e voltagem maxima (Vdss) de 40V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. STP180N4F6 - 6518
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DRIVER DE TRANSISTOR, MONTADO, ULTRACOMPACTO DE CANAL DUPLO PARA IGBT 2SC0108T2H0-17 - TRANSISTOR DRIVE-POWER 2SC0108T2G-17
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TRANSISTOR TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 6,5kV, CORRENTE 500A, MODELO KE3, ENCAPSULAMENTO IHV 130mm, TIPO DO MODULO IGBTS+DRLS NAO INTERLIGADOS Código do Material: 000000000012704455
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR SMD AON6324 1N DFNC045090022CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 32W 1045090022 SB00001H100 1045090022
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OC 875974 / CP008615 - PIROSENSOR - DETECTOR INFRAVERMELHO MPE-20SENSOR PIRO-ELETRICO RADIAL DE INFRAVERMELHO MODELO D203S, MONTADO EM CONJUNTO COM O TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET). TRATA-SE DE UM COMPONENTE ELETRONICO, UTILIZADO NA MONTAGEM DE
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34242030A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3,8W
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO 1,2kV, CORRENTE 1400A, ENCAPSULAMENTO PRIMEPACK3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000012295176
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34116041A TRANSISTOR MOSFET N 11A 55V
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 120A e voltagem maxima (Vdss) de 40V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. STP180N4F6 - 6518
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 16V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 29A. TEM A FUNÇÃO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-6690 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR ET460-S ECU. 001-07/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 40W AZ949568-6690
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 120A e voltagem maxima (Vdss) de 40V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. STP180N4F6 - 6518
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, SMD TRANS,MOSF,FC6B21150L,MLGA006-W-1721-RA 64B019-1
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOS FC6B22220L (PANASONIC,FC6B22220L,MLGA006-W-1726-RA,N-CH,ROHS+HF+REACH), PARA BATERIA PARA TELEFONE CELULAR PN:33B6800007 C0420-700210-0AL 33B6800007 310250000099
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOS FC6B22220L PANASONIC,FC6B22220L,MLGA006-W-1726-RA,N-CH,ROHS+HF+REACH PN:33B6800007 C0420-700210-0AL 33B6800007 310250000099
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 16V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 29A. TEM A FUNÇÃO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**C0420-700210-0AL - TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 2,1W, PARA TENSAO DE 24V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 13A, UTILIZADO EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO DE
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RYN1331625/1 TRANSISTOR DO TIPO GAN-HEMT (HIGH ELETRON MOBILITY TRANSISTOR) DE 170W PARA APLICACOES DE AMPLIFICACAO DE POTENCIA NA FAIXA DE 2620-2690MHZ, TIPO REPRESENTATIVO: GTVA261701FA.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63871301, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 76W, MMD60R360Q 600V 11A 0.36OHM 76W 3P. EBK63871301
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34242030A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3,8W
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR SMD AON6324 1N DFNC045090022CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 32W 1045090022 SB00001H100 1045090022
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 450A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2,1kW, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, REFERENCIA FS450R12KE3, PROPRIO PARA MONTAGEM POR PARAFUSOS EM P.C.I. Código do Material:
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 16V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 29A. TEM A FUNÇÃO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 16V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 29A. TEM A FUNÇÃO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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PN: 151830-0320 - TRANSISTOR, MONTADO,SMD. TRANSISTOR, CUSTOM PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,2W - Partes e pecas para ser utilizado na linha de producao da Unidade de controle de injecao eletronica.
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Modulo transistor IGBT 600 A / 6500V montado, tipo FZ600R65KE3, marca INFINEON, para Sistema de frenagem dos vagoes ferroviarios de trens de passageiros da serie 9000.
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 100A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONO3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010189924
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR SMD AON6380 1N DFNC045090021CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045090021 SB00001FQ00 1045090021
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92-02000647628 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, CANAL N, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA SUPERIOR A 1W(2,5W), PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), CVT09N06SATR
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-4070 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR F5018-S-TB16R ECU. 001-07/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 15W AZ949568-4070
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**700V 6A TO-251 TJ=150C RFR #JS0176SAM# INV:0090360282 JS0176SAM
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B44863-0041 - TRANSISTOR MOSFET COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1W, UTILIZADO NO SISTEMA DE AR CONDICIONADO DE VEICULOS AUTOMOVEIS.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**C0420-700210-0AL - TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 2,1W, PARA TENSAO DE 24V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 13A, UTILIZADO EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO DE
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR MOSFET 700V/11A TO-220FT, 32,4W #JS0119SAMN# INV:0090364098 JS0119SAMN
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-6690 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR ET460-S ECU. 001-08/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 40W AZ949568-6690
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-6690 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR ET460-S ECU. 003-10/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 40W AZ949568-6690
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**C0420-700210-0AL - TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 2,1W, PARA TENSAO DE 24V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 13A, UTILIZADO EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO DE
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MODULO IGBT MBN3600E17F MODULO IGBT; APLICACAO: TRACAO # SISTEMA DE PROPULSAO # VVVF - POWER UNIT/BCH; CLASSIFICACAO: ALTA POTENCIA; VCES MAX: 1700V; IC MAX(DC): 3600A; TRR MAX: 1,6 US; ERR: 1,15 J/P; REF: MBN3600E17F
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92-02000588067 - TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA DE 80W, PROPRIO PARA MONTAGEM POR INSERCAO(PTH), TO251, MJGIRF7N65H
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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BAM87330000 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATT, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL. MODELO: TR
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TRANSISTOR TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 100 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 530 W, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK3, PROPRIO PARA MONTAGEM POR SOLDA (MONTA
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 225A, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, FIXADO POR PARAFUSO E SOLDAGEM TERMINAIS THT Código do Material: 000000000010624817
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 16V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 29A. TEM A FUNÇÃO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOSFET CH-P VDSS=-20V ID=-4.9A. GSM3415ZF TS35070017
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 200A 650V - MARCA MITSUBISHI, MODELO CM200DY-13T - 0047746, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS, MOSFET, AONY36352 2N DFN5X6-8 TP (72A0PYBO064, EH5LP SB00001P000 CQBR) 0.55W, PN:SBM1P000Z01 INV:88360713 SBM
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,AONS36344FD,VDSS=30V,ID(MAX)=83A T), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51032UV00-262-H INV:NVM5233 51032UV00-262-H
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RYN1331625/1 TRANSISTOR DO TIPO GAN-HEMT (HIGH ELETRON MOBILITY TRANSISTOR) DE 170W PARA APLICACOES DE AMPLIFICACAO DE POTENCIA NA FAIXA DE 2620-2690MHZ, TIPO REPRESENTATIVO: GTVA261701FA.
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TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 2W, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDO ELETRONICO. (P/N: 1267377477)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. EC,TRAN MOS FET,N,30V,27A,39W,TPCC8073 64N010-1
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Diodo retificador schottky, para tensoes de 100V e corrente de saida ate 7,5A, tipo SMD (surface mounting devices - componentes para montagem em superficie), encapsulamento DPAK. - Ref. STPS15H100CB-TR - 5071
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545055
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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Circuito integrado amplificador de audio, 1 canal com 160W de potencia maxima. Para sistemas de montagem em superficie (SMD), encapsulamento PQFN 5x6. - Ref. IR4321MTRPBF - 6781
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS MOS AOE6932(30V,85A,2.2W)DFN5X6E BAM69320002
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TRANSISTOR MONTADO, IRF1404PBF - PART NUMBER: 13043 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS
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TRANSISTOR PTH MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 29W, CORRENTE NOMINAL DE 11A, TENSAO MAXIMA DE OPERACAO 800V, UTILIZADO NA FABRICACAO DE DRIVERS PARA LED. REF. IPA80R450P7XKSA1 - COD. DO IMPORTADOR: 35926
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TRANSISTOR PTH MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 29W, CORRENTE NOMINAL DE 11A, TENSAO MAXIMA DE OPERACAO 800V, UTILIZADO NA FABRICACAO DE DRIVERS PARA LED. REF. IPA80R450P7XKSA1 - COD. DO IMPORTADOR: 35926
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UQDQ 400A, CONJUNTO SEMICONDUTOR MONTADO EM PLACAS DE ALUMÍNIO COM TERMINAIS ELÉTRICOS INTERCONECTADOS - CÓD. INTERNO: 11572
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1060653- BD13916STU TRANS GP BJT NPN 80V 1.5A 1250MW 3-PIN (3 TAB) TO-1 PO -480.120/482.899 TRANSISTOR, MONTADO, PTH(MONTAGEM ATRAVES DOS FUROS), BIPOLAR, NPN, DISSIPACAO DE POTENCIA 1,25 WATTS
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PN: 151830-0320 - TRANSISTOR, MONTADO,SMD. TRANSISTOR, CUSTOM PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,2W - Partes e pecas para ser utilizado na linha de producao da Unidade de controle de injecao eletronica.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR. NFET,DUAL,23V,14.3A,2.6MOHM,CSP12 #JS2210AP# INV:0090364787 JS2210AP
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 120A e voltagem maxima (Vdss) de 40V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. STP180N4F6 - 6518
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MDP1932TH - MDP1932TH - TRANSISTOR DE POTENCIA (MOSFET) - FUNCAO: CIRCUITO INTEGRADO DEDICADO A AMPLIFICACAO / CHAVEAMENTO DE POTENCIA APLICACAO: USADO PARA AMPLIFICAR SINAIS E COMO CHAVEADORDE POTENCIA TIPO E UTILIZACAO: CIRCUITO INTEGRADO FABRICADO
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TRANSISTOR MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 83W, INTENSIDADE DE CORRENTE: 9A, MODELO: FET POW SM IPA60R360P7 (INFI) L, 12NC: 2288 000 22511
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100201679 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00951A05.MC, 2044-KJ00951A06B.MC, 2044-KJ00951A08A.MC, 2044-KJ00951A06A.MC, 2044-KJ00951A04A.MC, 2044-KJ00951A06.MC, 2044-KJ00951A0
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AONS32314 1N DFN-8C045420013CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420013 SB00001NY00 1045420013
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545055
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,AONS36348FD,VDSS=30V,ID(MAX)=50A T), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA. CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51032V300-262-H INV:NVM5233 51032V300-262-H
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TRANSISTOR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1200V, CORRENTE DE 25 A ENCAPSULAMENTO SMART1 Código do Material: 000000000011337527
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR. NFET,DUAL,12V,13.3A,2.5MOHM,CSP10 #JS2207AP# INV:0090364788 JS2207AP
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSITOR MONTADO SMD 22V, 25A, 3.55 MOHM, WLCSP10 #JS2141AP# INV:0090364024 JS2141AP
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK61913702, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W, SSM3J332R., SSM3J332R, 30V, 6A, 0.072OHM, SOT23, 3P. EBK61913702
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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TRANSISTOR MOSFET COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1W, UTILIZADO NO SISTEMA DE AR CONDICIONADO DE VEICULOS AUTOMOVEIS.
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MODULO TRANSISTOR IGBT MONTADO, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, COM CORRENTE DE 650A, TENSAO VCE 1,7KV, ENCAPSULAMENTO PRIMEPACK2, TEMPERATURA MAXIMA JUNCAO 175°C, MODELO FF650R17IE4 Código do Material: 000000000011681446
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Diodo retificador schottky, para tensoes de 100V e corrente de saida ate 7,5A, tipo SMD (surface mounting devices - componentes para montagem em superficie), encapsulamento DPAK. - Ref. STPS15H100CB-TR - 5071
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 225A, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, FIXADO POR PARAFUSO E SOLDAGEM TERMINAIS THT Código do Material: 000000000010624817
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 18V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 28A. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR SMD AON6380 1N DFNC045090021CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045090021 SB00001FQ00 1045090021
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 600A 1200V FF600R12ME4 - 0041140, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 600A 1200V FF600R12ME4 - 0041140, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 6,5kV, CORRENTE 500A, MODELO KE3, ENCAPSULAMENTO IHV 130mm, TIPO DO MODULO IGBTS+DRLS NAO INTERLIGADOS Código do Material: 000000000012704455
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,DUAL,VDSS=30V,VGS(TH)=2.1V,Q1/Q2:I), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51050PC00-223-H INV:NVM5233 51050PC00-223-H
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANSISTOR SM4377NSKPC KPAK 8PC044400282DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 600A 1200V - MARCA MITSUBISHI, MODELO CM600DXP-24T - 0047748, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 600A 1200V - MARCA MITSUBISHI, MODELO CM600DXP-24T - 0047748, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 600A 1200V - MARCA MITSUBISHI, MODELO CM600DXP-24T - 0047748, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANSISTOR SM4377NSKPC KPAK 8PC044400282CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE = 1 WATTS 1044400282 D03-4377N00-ST8 1044400282
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TRANSISTOR IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 40A 1200V - MARCA INFINEON, MODELO IKW40N120H3, ENCAPSULAMENTO TO247-3 PARA MONTAGEM PTH - 0039570 - PESO LIQUIDO UNIT 0,0070 KG, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPSTIPO NO-BREAK.
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PN-C10505 - Módulo Transistor IGBT,Conjunto Montado,Contém Um Barramento E Um Capacitor, Utilizada Em Inversor De Frequência Inversor De Frequência PowerFlex 700H/S,Com Tensão De 400-480VAC,Este Produto É Um Transistor Bipolar De Porta Isolada, É Um
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TRANSISITOR DO TIPO MOSFET UTILIZAÇÃO 40V 195A 294W ENCAPSULAMENTO TO220AB IRFB428PBF, PROPRIO PARA USO EM PTH, P/N:IRFB428PBF, COD.1000350139
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IRFB4127PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANS SM4364NAKPC 8P 60A 30V C044900249CAPACIDADE DE DISSIPAC O INFERIOR A 1W= 0.23W 1044900249 D03-4364N0C-ST8 1044900249
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2017078556-001-1)2017078556-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO SMD N-MOSFET NTMFS4C10NBT1G 2,49W ONSEMI SO 8, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-A0490100 07005-A0490100 07005-A0490100
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (MOSFET CJ3439KDW-PCHANNEL, 8W), 6 PINOS, CANAL P E N, TENSAO: 20V, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 8W, CORRENTE: 0,755A, RESIST
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOSFETCJ3439KDW-PCHANNEL-20V-0.755A-50MO-SOT-363-BRAZIL,8W(16.3439.08.13.01) 301301020000022 500600000000006
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOSFETCJ3439KDW-PCHANNEL-20V-0.755A-50MO-SOT-363-BRAZIL,8W(16.3439.08.13.01) 301301020000022 500600000000006
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANS SM4364NAKPC 8P 60A 30V C044900249CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE - 50W 1044900249 D03-4364N0C-ST8 1044900249
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6 IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 25 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, PROPRIO PARA M
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RN230038-TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL SMD STD25NF10LT4 ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=100V RDS(ON) =35M ID=25A 100W MARCA ST PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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TRANSISTOR BIPOLAR MONTADO, 5A, 400V, 75W, MODELO: TRANSISTOR MJE13005DF-O-U/PF, 12NC: 3306 202 02451
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100201224 - IKW50N65H5FKSA1 - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT PTH COM 650V E CORRENTE DE 50A 100°C TO-247-3.
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A31SB00001BX00 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE-), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR VENDOR PN: SB00001BX00 163392 P/N:
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2015872123-001-1)2015872123-001-1
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6 IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 35 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, PROPRIO PARA M
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, TRANSISTOR MOSFET, MDWC0342ERH-CSP-6-MAG 64N026-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**151830-0320 TRANSISTOR, MONTADO,SMD TRANSISTOR, CUSTOM PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,2W 151830-0320
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 35 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 12 W, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM2, PROPRIO
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 900A, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, ENCAPSULAMENTO PRIMEPACK2 Código do Material: 000000000012295175
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 600V 11A 0.65TK11A60DSC67, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK. PN:765316 INV:4112010021 765316
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO E CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO ELETROVENTILADOR DA UNIDADE DE AR CONDICIONADO AUTOMOTIVO 12V.NR.#
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 50A e voltagem maxima (Vdss) de 60V. Para sistema de montagem through-hole (PTH), em encapsulamento TO-220. - Ref. STP55NF06 - 8399
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK62111401, TRANSISTOR MOSFET, (PTH), COM CAPACIDADE DE DISIPACAO DE 49,6W, MDF11N65B. EBK62111401
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 10 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 3 W, ENCAPSULAMENTO MSIP, PROPRIO PARA MONTAGEM
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 10 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 3,5 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PA
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TRANSISTOR MOSFET MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 83W, INTENSIDADE DE CORRENTE: 10.6A, MODELO: FET POW SM IPD60R380C6 (INFI) R, 12NC: 9322 324 78668
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**N-MOSFET 100V SOT223 TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 2.4W. 100V, 3.3A PN:S/0704-04KN000 0704-04KN000 S/0704-04KN000
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**C0420-700210-0AL - TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 2,1W, PARA TENSAO DE 24V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 13A, UTILIZADO EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO DE
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOSFET CH-P VDSS=-20V ID=-4.9A. GSM3415ZF TS35070017
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 150A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONOPACK+, FIXADO POR PARAFUSO E SOLDAGEM TERMINAIS THT Código do Material: 000000000010624814
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RN230027-TRANSISTOR MOSFET ZXMS6004FF SMD SOT23F CANAL N V(BR)DDS = 60V RDS(ON) = 0,500HMS ID = 1,3A (MARCA DIODE) PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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IRF3205PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO NPN 800V 1.5A TO-92 RFR - 1.1W #JM0308SAM# INV:0090363488 JM0308SAM
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, TRANSISTOR MOSFET, FC6B21150L-CSP-6-PANA 64N025-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, TRANSISTOR MOSFET, FC6B21150L-CSP-6-PANA 64N025-1
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TRANSISTOR MOSFET MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 83W, INTENSIDADE DE CORRENTE: 10.6A, MODELO: FET POW SM IPD60R380C6 (INFI) R, 12NC: 9322 324 78668
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 12V,1.8A,PULSE,RST 1.9OHM,CSP9 #JS2213AP# INV:0090364787 JS2213AP
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 65A e voltagem maxima (Vds) de 200V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. IRFB4227PBF - 404
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. 31.2W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOSFET SIRA14DP-T1-GE3-U// SO-8) PN:SBAS7000014 INV:11200151862 SBAS7000014 SBAS7000014 07005-A0970000
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 450A 1200V FF450R12ME4 - 0041139, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 450A 1200V FF450R12ME4 - 0041139, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. EC, TRT MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DSC67 44T004-1
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 10A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, TIPO MONTAGEM SOLD
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 18V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 28A. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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0030453-0 - 2SA1943-O - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 15A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0025710-9 - 2SC5200-O - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 15A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 41W, INTENSIDADE DE CORRENTE: 9A, MODELO: FET POW SM IPD60R360P7 (INFI) R, 12NC: 2288 000 22841
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR. NFET,DUAL,23V,14.3A,2.6MOHM,CSP12 #JS2210AP# INV:0090364354 JS2210AP
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 600V 9A 0.65 IPAN60R650CE, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK PN:824201 INV:4111940523/4111958576 824201
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 600V 9A 0.65 IPAN60R650CE, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK. PN:824201 INV:4111989617 824201
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, TRANSISTOR MOSFET, MDWC0342ERH-CSP-6-MAG 64N026-1
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RYN1234669 TRANSISTOR NFET, TENSAO:100V, CORRENTE:12.4A, POTENCIA 2,5W, ENCAPSULAMENTO PLASTICO:POWERPAK SO8, TEMPERATURA DE OPERACAO:-55/+150° C, 13.5MOHM(VGS=6V) VGS(TH)=2-4V, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE.
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IRFS4410ZTRL,IRFS4410ZTRLPBF - TRANSIST. MOSFET, CANAL N, 100V, 97A, 203W, SMD*003083*
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A31SB00001JP00 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE-), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR, VENDOR PN: SB00001JP00 163392 P/N:
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 150A 1200V - FF150R12RT4 - 0039575, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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C12105 Transistor montado tipo IGBT 1200V 300A P/N: GD300HFY120C2S
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ORG(A001);PN(68569354); TRANSISTOR ELETRONICO IGBT 2100W MONTADO FS450R12KE3/AGDR-71C Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4700089900 Item Pedido: 00140 Codigo do Material: 000000000068569354 NUMERO DE SERIE: 8201201243, 8201201266, 8201201282
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1267377477 - TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 2W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEMEM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDOELETRÔNICO. (DA 2014979706-001-3)2014979706-001-3
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO SMD N-MOSFET NTMFS4C06NBT1G 2,55W ONSEMI SO 8, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-A0330100 07005-A0330100 07005-A0330100
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IRFB4115PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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RN230038-TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL SMD STD25NF10LT4 ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=100V RDS(ON) =35M ID=25A 100W MARCA ST PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 150A 1200V - FF150R12RT4 - 0039575, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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IGBT BSM150GT120DN2 - FEITO DE MATERIAL SEMICONDUTOR. DESTINADO A EQUIPAMANTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR DE POTENCIA MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR 350W, REF. A43001400
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DTO220SIS, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK. PN:791098 INV:4111991160 791098
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DTO220SIS, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK. PN:791098 INV:4111958398 791098
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DTO220SIS, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE P
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DTO220SIS, PARA CONVERSOR CA/CC PARA MAQUINA AUTOMATICA DE PROCESSAMENTO DE DADOS DIGITAL, PORTATIL - NOTEBOOK PN:791098 INV:4111958413 791098
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RN230009-TRANSISTOR MOSFET SMD IRLR024ZTRPBF ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=55V RDS(ON)=58M ID=16A 35W MARCA INTERNATIONAL RECTIFIER (IR) OU INFINEON. PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 214W, CORRENTE 160A, 3,9M, TO263-7, OHM 100 - 55 A 175C, TENSAO 100V, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA EQUIPAMENTOS DE CONTROLE UTILIZADOS EM INFORMA
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 690V, CORRENTE 100A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545054
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 15 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 5 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PARA
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TRANSISTOR BIPOLAR PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO, MONTAGEM POR SOLDA, COM TENSAO NOMINAL DE 600V, CORRENTE DE 20A, MODULO TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER Código do Material: 000000000012656986
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) - MOSFET TRANSISTOR VDS30V,VGS 20V,ID17A, 16,67W, HR8036GQ4 CPPC008B
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO E CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO ELETROVENTILADOR DA UNIDADE DE AR CONDICIONADO AUTOMOTIVO 12V.NR.#
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BM63767S-VA,BM63767S-VA - TRANSISTOR IGBT, TENSAO 600V, CORRENTE 30A, POTENCIA 59W, PTH*004538*
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TRANSISTOR, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 3.1W, IRLL110TRPBF, 100V. 87.040.00119-8
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 150A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONOPACK+, FIXADO POR PARAFUSO E SOLDAGEM TERMINAIS THT Código do Material: 000000000010624814
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IRF1404PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 10 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 3 W, ENCAPSULAMENTO MSIP, PROPRIO PARA MONTAGEM
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A2C00048819 TRANSISTOR MONTADO, 1,N CHAN, IGBT, POTÊNCIA,400V,1 4A, 0Ohm, TO263A, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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RN230154-TRANSISTOR MOSFET SMD NCV8402AMNWT1G N DFN6 (WF) 506DK 42V 2A 0.165OHM MARCA: ONSEMI, PARTNUMBER: NCV8402AMNWT1G, PARA MONTAGEM DE REGULADOR ELETRONICO DE VOLTAGEM
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 25 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 7 W, ENCAPSULAMENTO ECONO2, PROPRIO PARA
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ORG(0600);PN(15060489);
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IRFP4127PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 100 A, ENCAPSULAMENTO ECONO3, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 175°C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTA
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 35A, PARA MONTAGEM TIPO PRESS- FINT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO Código do Material: 000000000011896901
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-4070 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR F5018-S-TB16R ECU. 001-08/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 15W AZ949568-4070
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IRFR9024NTR,IRFR9024NTRPBF - TRANSISTOR, MOSFET, 55V, 11A, 38W, SMD*006785*
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 32,1W 30V 55A, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOS SM4337NSKPC-TRG DFN5*6) PN:SBAR0401002 INV:MM1+D80225 SBAR0401002 SBAR0401002 07G00510401
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, SMD TRANS,MOSF,FC6B21150L,MLGA006-W-1721-RA 64B019-1
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0003249-2 - BTA12-600SWRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 126 A 600 V - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,5kV, CORRENTE 5A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, ENCAPSULAMENTO TO-3PF, PROPRIO PARA MONTAGEM THT EM P.C.I. Código do Material: 000000000010190448
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NTD3055L104T4,NTD3055L104T4G - TRANSISTOR MOSFET, CANAL N,T.DR.-F.60V,COR.DRE.12A,POT. 1.5W, SMD*002822*
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RN230089-TRANSISTOR MOSFET SQ2337ES-T1-GE3 SMD SOT-23 CANAL P 80V 2,2A 1W SELF-MARCA VISHAY, PARA MONTAGEM DE CIRCUITO ELETRONICO DE REGULADOR ELETRONICO DE VOLTAGEM
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100201899 - IKP28N65ES5XKSA1 - TRANSISTOR MONTADO IGBT PTH 650V 28A PG-TO220-3
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TRANSISTOR ELETRICO TIPO MOSFET, MONTADO, TENSAO 1.500 V, CORRENTE 8 A, JUNCAO CANAL TIPO N, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 320 W, ENCAPSULAMENTO TO-247, PROPRIO PARA MONTAGEM THT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (P.C.I.), PART NUMBER WEG 11627620 Código do M
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO INFERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE -), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO, POTENCIA: TRANSIS BAM32300000
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34116041A TRANSISTOR MOSFET N 11A 55V
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TIRISTOR DIAC MINI MELF 2A LLDB3-TP
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1200V, CORRENTE DE 150A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 700W, ENCAPSULAMENTO ECONO3, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010189925
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TRANSISTOR NPN/PNP MONTADO, ALIMENTAÇÃO 40V DE TENSÃO, DISSIPAÇÃO 1700mW, MONTAGEM SMD SOT23-6. UTILIZAÇÃO: MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (PCB) AXION. FUNÇÃO: SEMICONDUTOR DE CORRENTE ELÉTRICA. CÓD: 3134042
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6177 - MÓDULO TRANSISTOR IGBT -FZ1800R12KF4 180 A,1200V, para Manutenção Portêineres, P/N 6SY7000-0AD51. REF: 6177
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 690V, CORRENTE 100A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545054
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ORG(A001);PN(68569354); TRANSISTOR ELETRONICO IGBT 2100W MONTADO FS450R12KE3/AGDR-71C Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4700089467 Item Pedido: 00270 Codigo do Material: 000000000068569354 NUMERO DE SERIE: 8202502568, 8202502570, 8202502577
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PJT7838 2N SOT363-6C045420011CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420011 SB00001HM00 1045420011
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK63612901, TRANSISTOR, PTH, MMF60R360Q, MOSFET 650V 11A 0.36OHM 30W 3P. EBK63612901
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IRGP4063DPBF : TRANSISTOR DO TIPO IGBT TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE VASTAMENTE UTILIZADO NA PLACA DE POTENCIA DE INVERSORES DE FREQUENCIA E NA SAIDA DE AMPLIF
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63612801, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, SMD, C/ CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W, MMD60R580Q, 8A 0.58OHM R/TP 3P. EBK63612801
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 20 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 6 W, ENCAPSULAMENTO EASY750, PROPRIO PARA MONTAGEM
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545055
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545055
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 35A, PARA MONTAGEM TIPO PRESS- FINT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO Código do Material: 000000000011896901
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. MFET N 600V 6A 1.25 TK6A60DRSC67, PARA CONVERSOR DE CORRENTE CA/CC - ADAPTADOR DE TENSAO PARA BENS DE AUDIO E VIDEO PN:786670 INV:4112012069 786670
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AONS32314 1N DFN-8C045420013CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420013 SB00001NY00 1045420013
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. MFET N 600V 6A 1.25 TK6A60DRSC67, PARA CONVERSOR DE CORRENTE CA/CC - ADAPTADOR DE TENSAO PARA BENS DE AUDIO E VIDEO PN:786670 INV:4112012036 786670
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TIRISTOR DIAC MINI MELF 2A LLDB3-TP
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63612801 EBK63612801, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, SMD, C/ CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W, MMD60R580Q, 8A 0.58OHM R/TP 3P.
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RYN1234669 TRANSISTOR NFET, TENSAO:100V, CORRENTE:12.4A, POTENCIA 2,5W, ENCAPSULAMENTO PLASTICO:POWERPAK SO8, TEMPERATURA DE OPERACAO:-55/+150° C, 13.5MOHM(VGS=6V) VGS(TH)=2-4V, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE.
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BEM341000600A0 - TRANSISTOR MONTADO SMD 55V 31A , CAPACIDADE DE DISSIPACAO 110W P-CH DPAK-3, INVOICE NR.: 632206, ITEM: 6, O.C.: 9000048696/00015
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**12V, 20A, 2.85 MOHM, WLCSP10 #JS2144AP# INV:0090363162 JS2144AP
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 10A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, TIPO MONTAGEM SOLD
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35127517 - TRANSISTOR (DA 2002825300-001-1)
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TRANSISTOR RF MOSFET CANAL N 135V 1400W 5 PINOS SOT539A SMD. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONICOS. - BLF188XRU(REF.: BL
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RYN1331625/1 TRANSISTOR DO TIPO GAN-HEMT (HIGH ELETRON MOBILITY TRANSISTOR) DE 170W PARA APLICACOES DE AMPLIFICACAO DE POTENCIA NA FAIXA DE 2620-2690MHZ, TIPO REPRESENTATIVO: GTVA261701FA.
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2016306091-001-1)2016306091-001-1
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2017264937-001-1)2017264937-001-1
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2017234060-001-1)2017234060-001-1
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RYN1331625/1 TRANSISTOR DO TIPO GAN-HEMT (HIGH ELETRON MOBILITY TRANSISTOR) DE 170W PARA APLICACOES DE AMPLIFICACAO DE POTENCIA NA FAIXA DE 2620-2690MHZ, TIPO REPRESENTATIVO: GTVA261701FA.
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RYN1331625/1 TRANSISTOR DO TIPO GAN-HEMT (HIGH ELETRON MOBILITY TRANSISTOR) DE 170W PARA APLICACOES DE AMPLIFICACAO DE POTENCIA NA FAIXA DE 2620-2690MHZ, TIPO REPRESENTATIVO: GTVA261701FA.
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1200V, CORRENTE DE 150A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 700W, ENCAPSULAMENTO ECONO3, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010189925
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ORG(A001);PN(3AXD50000013023); Transistor Eletronico IGBT 900A 710KW montado p/ uso com inversores de frequencia 3xBrake IGBT 900A+ 3xBGAD-12C ABB Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4700089900 Item Pedido: 00110 Codigo do Material: 3AXD50000
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PN-456064 - TRANSISTOR IGBT 400-480V FRAME 7 P/PF750
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 0,6kV, CORRENTE 15A, ENCAPSULAMENTO EASY750, PARA MONTAGEM TIPO THT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO Código do Material: 000000000011116491
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TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 214W, CORRENTE 160A, 3,9M, TO263-7, OHM 100 - 55 A 175C, TENSAO 100V, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA EQUIPAMENTOS DE CONTROLE UTILIZADOS EM INFORMA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD CAPACIDADE DE DISSIPAC O 31,2W N-MOSFET SIRA14DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-A0970000 07005-A0970000 07005-A0970000
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TRANSISTOR BIPOLAR PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO, MONTAGEM POR SOLDA, COM TENSAO NOMINAL DE 600V, CORRENTE DE 20A, MODULO TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER Código do Material: 000000000012656986
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANS SMD AONR32340C 1N DFNC045490012CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045490012 SB00001U100 1045490012
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**MOSFET 600V,10A TO-220F 50W #JS0095N# INV:0090364152 JS0095N
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1267377477 - TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 2W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEMEM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDOELETRÔNICO. (DA 2014979706-001-3)2014979706-001-3
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 100A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONO3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010189924
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084.07380.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR 161356 P/N:
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 450A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2,1kW, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, REFERENCIA FS450R12KE3, PROPRIO PARA MONTAGEM POR PARAFUSOS EM P.C.I. Código do Material:
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 450A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2,1kW, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, REFERENCIA FS450R12KE3, PROPRIO PARA MONTAGEM POR PARAFUSOS EM P.C.I. Código do Material:
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 300 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 100 W, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, PROPRIO PARA M
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 300 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 100 W, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK+, PROPRIO PARA M
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR COOL-MOSFET 700V 5A TO-251 RFR #JS0058SAM# INV:0090364761 JS0058SAM
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34116040A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 300W - IPB80N04S2-H4
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 36,7W 30V 65A, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOS SM4336NSKPC-TRG DFN5*6) PN:SBAR0501007 INV:MM1+D80226 SBAR0501007 SBAR0501007 07G00510501
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**12V, 20A, 2.85 MOHM, WLCSP10 #JS2144AP# INV:0090364354 JS2144AP
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RN230016-TRANSISTOR MOSFET SMD IRFR5505 DPAK DPAK P 55V 18A 110MOHM 57W MARCA INTERNATIONAL RECTIFIER (IR) OU INFINEON PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6 IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 5 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, PROPRIO PARA MO
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1,2kV, CORRENTE DE 10A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 69,5W, ENCAPSULAMENTO EASY2, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010189895
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Codigo do Material: 0704-03N80DE Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 w atts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mo unted Device-), para uso em placa de circuito impresso de mi crocomputador;Ý41,821632;5;;¨
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5709 - TRANSISTOR IRF3205 NCH 55V 110A TO-220 PN:IRF3205PBF IR
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2861 NVD5117PLT4G TRANSISTOR MOSFET P-CH 60V 61A DPAK - NVD5117PLT4G
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TRANSISTOR XE NPN 12.5W NJD2873T4 (P/N: NT.0084393.A)
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 15 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 5 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PARA
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34206716A TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 1,6W
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, PROPRIO PARA A M
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192006012 - Codigo do Material: 192006012 TRANSISTOR MONTADO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD2222A NPN 40V0 ,6A SOT89 LF CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1.1W
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0003249-2 - BTA12-600SWRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 126 A 600 V - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2017691703-001-1)2017691703-001-1
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ITEM 3 - Transistor Fet ref.: F3L150R07W2E3B11BOMA1 - REF.: NHS 011508
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH MOS CH N/AP65SL190AI,20A,650V,TO-220FMOS HIGH VOLTAGE N/AP65SL190AI,20A,650V,A+- 30V,TO-220F APEC/AUK,UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA (EXCETO SE USO EM INFORMATICA) PN:313AP
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0001766-3 - T410-600B-TR - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 4A 10MA DPAK - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRA0100 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE 200V, CORRENTE DE 24A, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 150W, ENCAPSULAMENTO TO-252, MODELO NCE0224AK.
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92-02000588067 - TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA DE 80W, PROPRIO PARA MONTAGEM POR INSERCAO(PTH), TO251, MJGIRF7N65H
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92-02000588067 - TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA DE 80W, PROPRIO PARA MONTAGEM POR INSERCAO(PTH), TO251, MJGIRF7N65H
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92-02000588067 - TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA DE 80W, PROPRIO PARA MONTAGEM POR INSERCAO(PTH), TO251, MJGIRF7N65H
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TRANSISTOR REF: MCR16N
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 600V, CORRENTE DE 10A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 50W, ENCAPSULAMENTO EASY750, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010189900
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 600V, CORRENTE DE 10A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 50W, ENCAPSULAMENTO EASY750, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010189900
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RN230154-TRANSISTOR MOSFET SMD NCV8402AMNWT1G N DFN6 (WF) 506DK 42V 2A 0.165OHM MARCA: ONSEMI, PARTNUMBER: NCV8402AMNWT1G, PARA MONTAGEM DE REGULADOR ELETRONICO DE VOLTAGEM
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PJT7838 2N SOT363-6C045420011CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420011 SB00001HM00 1045420011
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REF 0104000051 - TRANSITORES MONTADOS (EXCETO OS FOTOTRANSISTORES), SENDO ESTE: IC MOSFET PTH STF6N95K5 950V PA T8-220FP, SUA FUNÇÃO É ATUAR COMO CHAVE ELETRÔNICA, UTILIZADO EM DRIVE LED.
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A2C00048819 TRANSISTOR MONTADO, 1,N CHAN, IGBT, POTÊNCIA,400V,1 4A, 0Ohm, TO263A, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9620 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W 949568-9620
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FET -60V 100.0 MOHM DPAK - TRANSISTOR MONTADO SMD(PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE), CAPACIDADE DE DISSIPACAO 57 WATTS, TIPO MOSFET/ - P/N - 1060678 - P.O: 482162
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FET -60V 100.0 MOHM DPAK - TRANSISTOR MONTADO SMD(PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE), CAPACIDADE DE DISSIPACAO 57 WATTS, TIPO MOSFET/ - P/N - 1060678 - P.O: 485711
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IRF40R207: Transistor do tipo Mosfet com a função de amplificar um sinal de entrada e obter um ganho de sinal na saída, este modelo é utilizado por diversos fabricantes de equipamentos eletrônicos, é peça integrante dos seguintes produtos: fontes cha
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 100A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 600W, REFERENCIA PARA MONTAGEM PRESS-FIT EM P.C.I. Código do Material: 000000000013045142
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANS,BJT,SOT223-4,2,VCEO,140V,IC,4A,ROH 64K004-1
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TRANSISTOR, 125W DE POTENCIA DE DISSIPACAO, MONTADO, PARA CHAVEAMENTO E AMPLIFIC ACAO DE SINAIS ELETRICOS, UTILIZADO NA CONSTRUCAO DA UNIDADE DE COMANDO (P/N: 8905502748)
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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BSC117N08NS5ATMA1CT - TRANSISTOR MOSFET N-CH 80V 49A TDSON-8
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ORG(A001);PN(68569354); TRANSISTOR ELETRONICO IGBT 2100W MONTADO FS450R12KE3/AGDR-71C Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4700089349 Item Pedido: 00060 Codigo do Material: 000000000068569354 NUMERO DE SERIE:8202502539, 8202502548, 8202502678
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 30 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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IKW75N65EH5: TRANSISTOR DO TIPO IGBT TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE VASTAMENTE UTILIZADO NA PLACA DE POTENCIA DE INVERSORES DE FREQUENCIA E NA SAIDA DE AMPLIFIC
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 32,1W 30V 55A, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOS SM4337NSKPC-TRG DFN5*6) PN:SBAR0401002 INV:MM1+D80226 SBAR0401002 SBAR0401002 07G00510401
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. ** SUFRAMA ** 949573-2150 TRANSISTOR, MONTADO, PTH, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, N-CH, PTH COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 100 W. 949573-2150
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48-012035001 - TRANSISTOR LD MOS SMT MONTADO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AONS32314 1N DFN-8C045420013CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420013 SB00001NY00 1045420013
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AUT140100001 - TRANSISTOR MONTADO SMD 150V 3A , CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1.9W PCH PPAK SO-8, INVOICE NR.: 715907, ITEM: 1, O.C.: 9000042966/00009
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 36,7W 30V 65A, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOS SM4336NSKPC-TRG DFN5*6) PN:SBAR0501007 INV:MM1+D80225 SBAR0501007 SBAR0501007 07G00510501
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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1060006- STD4NK60Z-1 PO -485.710- TRANSISTOR, MONTADO, PTH (MONTAGEM ATRAVES DOS FUROS), MOSFET, DISSIPACAO DE POTENCIA 70 WATTS. MARCA COMERCIAL: STM
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 4,5 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PARA
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 50A e voltagem maxima (Vdss) de 60V. Para sistema de montagem through-hole (PTH), em encapsulamento TO-220. - Ref. STP55NF06 - 8399
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR PTH 40W; 600V; 15,8A B1CERR000185 B1CERR000185
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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RN230009-TRANSISTOR MOSFET SMD IRLR024ZTRPBF ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=55V RDS(ON)=58M ID=16A 35W MARCA INTERNATIONAL RECTIFIER (IR) OU INFINEON. PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 600A, ENCAPSULAMENTO PRIMEPACK2, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010823126
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,5kV, CORRENTE 5A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, ENCAPSULAMENTO TO-3PF, PROPRIO PARA MONTAGEM THT EM P.C.I. Código do Material: 000000000010190448
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. 31.2W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOSFET SIRA14DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8) PN:SBAS7000014 INV:11200147416 SBAS7000014 SBAS7000014 07005-A0
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. 31.2W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOSFET SIRA14DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8) PN:SBAS7000014 INV:11200145512 SBAS7000014 SBAS7000014 07005-A0
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. EC, TRT MFET N 650V 11A 0.7 TK11A65DSC67 44T004-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,AONS36342FD,VDSS=30V,ID(MAX)=130A ), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA. CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51032UQ00-262-H INV:NVM5233 51032UQ00-262-H
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TRS10225 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET), P-CHANNEL, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 1.4W, PARA TENSAO DE 20V, SOT23, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM TECNOLOGIA SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE).
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR C/CAPACIDADE DE DISSIPACAO 20 W A 50 W, MOSFET N-CH.SM4364NAKPC-TRG..VDS=30V,VGS=20V.ID=60A.RDS(ON)=5.7M MOSFET N-CH.SM4364NAKPC-TRG..VDS=30V,VGSid423205-03-053-4364
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ODM-92-02000703628 - TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1W (3.2W), MODELO SVGP069R5NSATR, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD)
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2737 IRLR3110ZTRPBFTR-ND TRANSISTOR MOSFET N-CH 100V 42A DPAK -
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FF450R12KT4: MODULO DE TRANSISTOR DO TIPO IGBT PARA ALTAS FREQUENCIAS DE CHAVEAMENTO, TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE MONTADO EM TROCADORES DE CALOR, VASTAMENTE
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0001766-3 - T410-600B-TR - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 4A 10MA DPAK - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-5640 TRANSISTOR SMD 2SK3377(0)-Z-E1-AZ/KY, ECU.001-09/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W AZ949568-5640
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FDC5614P,FDC5614P - TRANSITOR, MOSFET, POTENCIA 1.6W, TENSAO 60V, CORRENTE 3A, SMD*006505*
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1200V, CORRENTE DE 100A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 650W, ENCAPSULAMENTO ECONO3, FIXADO POR SOLDA EM P.C.I. Código do Material: 000000000010190542
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS, MOSFET, AOE6930 DFN5X6-8 TP (72A0OTBO209, EH50F SB00001AZ00 CQBR) 0.93W, PN:SBM1AZ00Z06 INV:88360714 SBM1AZ00
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0002286-1 - T405Q-600H - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - GATE(5MA) 600V 4A (ITSM 30/31AMP) IPAK - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA MONTAGEM 180°, TENSÃO 600V, CORRENTE 50 A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, ENCAPSULAMENTO EASY2 Código do Material: 000000000011323590
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 20 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 6 W, ENCAPSULAMENTO EASY750, PROPRIO PARA MONTAGEM
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**MOSFET, 700V 6A IPAK RFR 50W #JS0054R# INV:0090364415 JS0054R
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A31SB00001BX00 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE-), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR VENDOR PN: SB00001BX00 162469 P/N:
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MOSFET SMT VGS+/-20V VGTH 3V MAX/DFN3*3MM, 16,67W HR8039GQ4 CPPC009A
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6SY7000-0AC77 MODULO DE TRANSITOR IGBT TIPO FZ1200R12KF5 ESPRIT NR.185513 (P/N: 6SY70000AC77)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD (LOW VOLTAGE MOSFET) PJA3415_R1_00001, 1.25W, PARA TERMINAL DE CAPTURA DE DADOS PN:SBYB3145P00 INV:TW1058020 GM_TRS_006-2ND SBYB3145P00 PJA3415
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD (LOW VOLTAGE MOSFET) PJA3415_R1_00001, 1.25W, PARA TERMINAL DE CAPTURA DE DADOS PN:SBYB3145P00 INV:TW1058020 GM_TRS_006-2ND SBYB3145P00 PJA3415
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PN:2SK2869STL-E DESCRICAO: TRANSISTOR, IMPEDANCIA: 45m OHM, CORRENTE: 20A,TENSÃO: 60V, MONTADO. CODIGO INTERNO: 013.58.004 PO 193404
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**12V, 20A, 2.85 MOHM, WLCSP10 #JS2144AP# INV:0090364024 JS2144AP
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TRA0107 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE 20V, CORRENTE DE 224mA, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 120mW, ENCAPSULAMENTO XLLGA-3 - 863-NTNS3193NZT5G.
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A31SB00001ST00 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS(1.3W), PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL.
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, COM CORRENTE DE 3A, TENSAO DE TRABALHO DE 100V, PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: MJD31CT4G
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TRANSISTOR REF: KSH122 DPAK
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. 31.2W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOSFET SIRA14DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8) PN:SBAS7000014 INV:11200145511 SBAS7000014 SBAS7000014 07005-A0
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**SI2308BDS,N,60V,2.3A,0.156OH, 1.66W** SI2308BDS,N,60V,2.3A,0.156OH, 1.66W** 0505-002660
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63671301 EBK63671301, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 78 W, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), KF9N40D, 400V 30 6.5A 0.83 OHM DPAK R/TP 2P.
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 100 A, ENCAPSULAMENTO ECONO3, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 175°C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTA
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TRANSISTOR MONTADO, IRFB4115PBF - PART NUMBER: 13170 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUCAO DE ELETRONICOS.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-5640 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR 2SK3377(0)-Z-E1-AZ/KY ECU. 001-08/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W AZ949568-5640
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IRFR7440TRPBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: CHAV
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD CAPACIDADE DE DISSIPACAO 31W N-MOSFET SIRA12DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-A0960000 07005-A0960000 07005-A0960000
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9610 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 75W 949568-9610
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD+GD FRENAG, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 25A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, TIPO MON
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Codigo do Material: 0704-04L00DE Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 watts, proprio para montagem em superficie (SMD -Surface Mounted Device ) ,Montado,para uso em placa de circuito impresso para unidade digital de processament
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ODM-92-02000583589 - TRANSISTOR MOSFET, MODELO VIC1233DL, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 1.5W, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD).
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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ITEM 8 - Transistor Fet ref.: IRFS7434TRL7PP - REF.: NHS 017434
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, IGBT, MONTADO, TIPO 2 IGBTS+DIODO BOOST, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 80A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 200W, ENCAPSULAMENTO EASY1B,
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK61913702 EBK61913702, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W, SSM3J332R., SSM3J332R, 30V, 6A, 0.072OHM, SOT23, 3P.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**EBK60711201 EBK60711201, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 89W, IRF6775MTRPBF, N-CHANNEL MOSFET, 150V +-20 4.9A, 0.047 OHM, 2.8W, DIRECTFET MZ R/TP
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PK810BA 1N PDFNC045370014CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 1W 1045370014 SB00001NV00 1045370014
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9630 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9630
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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Transistor tipo IGBT, para corrente maxima (Id) de 80A e voltagem maxima (Vdss) de 650V. Para sistema de montagem through-hole (PTH), encapsulamento TO-247. - Ref. STGP30H60DFB - 31108
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11126295 - 07G005104010AK - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, MONTADO, COM JUNCAO HETEROGENEA HEMT, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,6W - N-MOS SM4337NSKPC-TRG DFN5*6 - INVOI
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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RYN1331625/1 - Transistor do tipo GaN-HEMT (high eletron mobility transistor) de 170W para aplicações de amplificação de potência na faixa de 2620-2690MHz, tipo representativo: GTVA261701FA. (DA 2015640435-001-1)2015640435-001-1
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PO - 483.851 - TRANSISTOR, MONTADO, PTH (MONTAGEM ATRAVES DOS FUROS), BIPOLAR, NPN, DISSIPACAO DE POTENCIA 1,25 WATTS/ - P/N - 1060653
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075.06994.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE-), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR. 161356 P/N:
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LFMOTCR001118A01 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO TIPO MOSFET COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO 300 WATTS PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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LFMOTCR001118A01 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO TIPO MOSFET COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO 300 WATTS PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,AONS36344FD,VDSS=30V,ID(MAX)=83A T), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA. CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51032UV00-262-H INV:NVM5233 51032UV00-262-H
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TRANSISTOR MOSFET MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 59W, CORRENTE NOMINAL DE 5,5A PROPRIO PARA MONTAGEM SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA EQUIPAMENTOS DE CONTROLE UTILIZADOS EM INFORMATICA REF. PJD45N06A - COD. DO IMPORTADOR: 11437
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 12V,1.8A,PULSE,RST 1.9OHM,CSP9 #JS2213AP# INV:0090364354 JS2213AP
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92-02000647628 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, CANAL N, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA SUPERIOR A 1W(2,5W), PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), CVT09N06SATR
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150°C, PROPRIO PARA A M
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**C0420-700210-0AL - TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 2,1W, PARA TENSAO DE 24V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 13A, UTILIZADO EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO DE
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FET -60V 100.0 MOHM DPAK - TRANSISTOR MONTADO SMD(PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE), CAPACIDADE DE DISSIPACAO 57 WATTS, TIPO MOSFET/ - P/N - 1060678 - P.O: 485711
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BSC160N15NS5: Transistor do tipo Mosfet com a função de amplificar um sinal de entrada e obter um ganho de sinal na saída, este modelo é utilizado por diversos fabricantes de equipamentos eletrônicos, é peça integrante dos seguintes produtos: estágio
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34116339A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 56W - PN fornecedor: IPD50N03S4L-06
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 100A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 600W, REFERENCIA PARA MONTAGEM PRESS-FIT EM P.C.I. Código do Material: 000000000013045142
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6178 - MÓDULO TRANSISTOR IGBT -FZ1000R12KF5, para Manutenção Portêineres, P/N 6SY7000-0AC80. REF: 6178
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9620 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W 949568-9620
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**ECB32978601, TRANSISTOR, MONTADO, SMD, PNP BCX5316TA, 1W, 80V 1A, PN: 261202001190. ECB32978601
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Transistor montado, próprio para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) (P/N: 214571100)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS, MOSFET, AOE6932 DFN5X6-8 TP (72A0U1BO092, FH53M SB00001J200 CQBR) 0.9W, PN:SBM1J200Z06 INV:88360714 SBM1J200Z
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANS PK6B0SAPDFN 5X6P 8P 57AC045290104DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO M
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RN230027-TRANSISTOR MOSFET ZXMS6004FF SMD SOT23F CANAL N V(BR)DDS = 60V RDS(ON) = 0,500HMS ID = 1,3A (MARCA DIODE) PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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0000743-9 - BTA41-600BRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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141.001.003-5 - TRANSISTOR NPN 4W 960MHZ-1215MHZ (MRF1004MB)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS MOS AOE6936(30V,21A,3.5W) BAM69360000
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANS PK6B0SAPDFN 5X6P 8P 57AC045290104CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE = 1 WATTS 1045290104 D03-4C02803-O05 1045290104
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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TRANSISTORES IGBT TRENCH MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 30W, DE INTENSIDADE DE CORRENTE DE 30A E TENSAO DE 600V, PROPRIOS P/ MONTAGEM POR INSERCAO PTH(PIN THROUGH HOLE), REF.: STGF15H60DF (CODKX/PEDIDO/SEQ.:18229-STM-I/4500056534/0011
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** 0505-003752
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BSC098N10NS5: Transistor do tipo Mosfet com a função de amplificar um sinal de entrada e obter um ganho de sinal na saída, este modelo é utilizado por diversos fabricantes de equipamentos eletrônicos, é peça integrante dos seguintes produtos: estágio
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. EC,TRAN MOS FET,N,30V,27A,39W,TPCC8073 64N010-1
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00760A0E.MC, 2044-KJ00760A07.MC, 2044-KJ00686A0IA.MC, 2044-KJ00760A07A.MC, 2044-KJ00761A05.MC.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM SMD, DE TENSAO 30V, CORRENTE 17A E CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 11,6W CPPC005G
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LFMOTCR001115A01 TRANSISTOR MOSFET. MONTADO. CAPACIDADE DE DISSIPACAO 50W PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**4628-J12N65-0S00 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 250 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 650 V; CORRENTE: 12 A; MODELO DO ITEM: JCS12N65T; CODIGO
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084.07380.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR 161531 P/N:
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DB13916STU - PO - 478.442 - TRANSISTOR, MONTADO, PTH (MONTAGEM ATRAVES DOS FUROS), BIPOLAR, NPN, DISSIPACAO DE POTENCIA 1,25 WATTS/ - P/N - 1060653
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TRANSISTOR, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 1.8W, BSP171PH6327, 127111. 87.040.00111-2
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P/N: PJD14P10A_L2_00001 (1.3.4.1.67) - TRANSISTOR SMD MOSFET CANAL P (60V 12A 55W) MONTADO TO-252AA
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TRANSISTOR MONTADO, IRF540NPBF - PART NUMBER: 13082 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK64231501, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 68W, SQJ409EP, 40V +-20V, 60A, 0.0126 OHM, 1.2KW, SO-8L, R/TP 5P. EBK64231501
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 18V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 28A. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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IRF2807PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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IRFP4868PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: ESTAGI
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AOE6936 DFN5X6E 8PC045540083CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045540083 075.06936.0073 1045540083
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 290W. 40N60NPFD (ROH) (220V) 2000905
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TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SEMIX303GB12E4P - 27895007
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8905502748 - TRANSISTOR, 125W DE POTENCIA DE DISSIPACAO, MONTADO, PARA CHAVEAMENTO E AMPLIFICAÇÃO DE SINAIS ELÉTRICOS, UTILIZADO NA CONSTRUÇÃO DA UNIDADE DE COMANDO (DA 2013368533-001-1)2013368533-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR MOSFET TIPO N, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 380W, MONTADO. REF.:1677
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.31W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOSFET SIRA12DP-T1-GE3-U//VISHAY SO-8) PN:SBAS6000002 INV:11200145511 SBAS6000002 SBAS6000002 07005-A0960
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- REFERENCIA: 1041805 - COMPONENTES PARA AEROGERADORES EOLICO, SENDO: - Transistor bipolar IGTB com características BJT e Mosfet, para montagem Smd, com dissipação superior a 1 watts.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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TRANSISTOR TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), MONTADO, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 50 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 280 W, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK2, PROPRIO PARA MONTAGEM POR SOLDA (MONTAG
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS16N65FA9H PTH, 650V / 16A / 70W 11-CS1665-0BX #821279#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**850109245 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 71 W; TENSAO/POTENCIAL ELETRICO: 700 V; CORRENTE: 7.3 A; CODIGO DO ITEM-FORNECEDOR: 850109245 7635
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ITEM 7 - Transistor Fet ref.: IRFB3207PBF - REF.: NHS 013208
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 65A e voltagem maxima (Vds) de 200V. Para sistema de montagem em PTH, em encapsulamento TO-220. - Ref. IRFB4227PBF - 404
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, IGBT, MONTADO, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 200W, ENCAPSULAMENTO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR C/CAPACIDADE DE DISSIPACAO 12.8 W A 32 W,MOSFET N-CH.SM4377NSKPC-TRG.VDS=30V,VGS=20V ID=50A RDS(ON)=7M OHM MOSFET N-CH.SM4377NSKPC-TRG..VDS=30V,VGSid423203-03-052-8377
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR 4.7K_47K NPN BIPOLAR SMD 5 W B1GBCFYY0161 B1GBCFYY0161
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. TRANSISTO,JCS4N65BB 4A,650V N TO-262-JCS 44C018-1
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2KV, DE CORRENTE 300A, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS Código do Material: 000000000010189886
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TRS10166 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL P, PARA TENSAO DE 20V (VDSS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 20A (ID), POTENCIA DE 2.9W, SON 2MM X 2MM, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR TEC
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**4655-P20150-0S00 TRANSISTOR; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; POTENCIA: 89.2 W; POTENCIAL ELETRICO/TENSAO: 150 V 763500818
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 690V, CORRENTE 100A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545054
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TRANSISTOR MONTADO DO TIPO MOSFET COM CAPACIDADE DE 100V 120A E 1880W, ENCAPSULAMENTO DO TIPO TO220 AB., P/N:MDP10N055TH, COD.1000350524
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO E CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO ELETROVENTILADOR DA UNIDADE DE AR CONDICIONADO AUTOMOTIVO 12V.NR.#
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, NAO SENDO PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: BC33725TA
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TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N, cod. IPB180N04S4-H0, 180 amp-40Vrev (P/N: NF.0140606.A)
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87072300064 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V (VDS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 85A(ID) A 25oC, POTENCIA DE 32.5W A 25oC, DFN 5X6, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRES
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0005611-1 - MAC97A8-412 - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 400V .6A TO-92 - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9610 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 75W 949568-9610
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87072300069 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V (VDS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 18A(ID) A 25oC, POTENCIA DE 25W A 25oC, DFN 3X3, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 30 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 10 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PARA
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34122355A TRANSISTOR NPN MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM DISSIPAÇÃO MÁXIMA DE POTÊNCIA IGUAL A 2W
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ODM-92-02000703628 - TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1W (3.2W), MODELO SVGP069R5NSATR, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD)
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,7kV, CORRENTE 16A, ENCAPSULAMENTO TIPO TO-247, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, PARA MONTAGEM TIPO THT EM P.C.I. Código do Material: 000000000010298388
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR DMN5L06DWK-7-01SOT3C045420012CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420012 SB00001PN00 1045420012
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1267377477 - TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 2W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEMEM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDOELETRÔNICO. (DA 2016597100-001-1)2016597100-001-1
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20-100235-01 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), MONTADO, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 104W, PARA TENSAO DE 100V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 60A, SO-8, PROPRIO
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20-0458-02 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V(VDS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 20A(ID), POTENCIA DE 3.5W, SOT96-1 (SO8), PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR TECN
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RYN1236139/3 TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) NFET COM TENTAO ATE 200V, CORRENTE ATE 36A, 32MOHM (VGS= 10V) VGS(TH)=2-4V, ENCAPSULAMENTO DE PLASTICO: PG-TDSON-8, TEMPERATURA DE OPERACAO: -55/+150°
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. (TRANSISTOR) SSM3K361R,LF(T, 1.2W, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM PN:SBTC0055308 INV:F620121230 FX-104.00553.005 SBTC0055308 SSM3K361R
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. (TRANSISTOR) SSM3K361R,LF(T, 1.2WATTS, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM PN:SBTC0055308 INV:F620112731 FX-104.00553.005 SBTC0055308 SSM3K361R
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084.21321.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD SURFACE MOUNTED DEVICE),PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR 161356 P/N:
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TRANSISTOR IGBT CHIP N CH 600V 80A 333W 3 PINOS PTH TO 247. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONICOS. - IKW50N60TFKSA1(REF.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11126297 - 07G005105010AK - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, MONTADO, COM JUNCAO HETEROGENEA HEMT, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,6W - N-MOS SM4336NSKPC-TRG DFN5*6 - INVOI
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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IRFZ48NPBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. MOSFET JCS2N65BB 2A,650V RDSON,5.0 OHMSN 44C017-1
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH. MOSFET JCS2N65BB 2A,650V RDSON,5.0 OHMSN 44C017-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 12V,1.8A,PULSE,RST 1.9OHM,CSP9 #JS2213AP# INV:0090363639 JS2213AP
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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A31SB00001JP00 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE-), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR, VENDOR PN: SB00001JP00 162469 P/N:
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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FF100R12RT4: MODULO DE TRANSISTOR DO TIPO IGBT PARA ALTAS FREQUENCIAS DE CHAVEAMENTO, TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE MONTADO EM TROCADORES DE CALOR, VASTAMENTE
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK64631801 EBK64631801, TRANSISTOR MONTADO, TIPO MOSFET, PARA MONTAGEM POR INSERCAO (PTH), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 33.6W, MMF80R450PB, 800V, +-30~11A, 0.45OHM, TO-220FP, 3P.
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK64631801 EBK64631801, TRANSISTOR MONTADO, TIPO MOSFET, PARA MONTAGEM POR INSERCAO (PTH), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 33.6W, MMF80R450PB, 800V, +-30~11A, 0.45OHM, TO-220FP, 3P.
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TRA0107 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE 20V, CORRENTE DE 224mA, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 120mW, ENCAPSULAMENTO XLLGA-3 - NTNS3193NZT5G.
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TRANSISTOR MOSFET HIGH SIDE DRIVER-VN5160STR-E 36V5,4A SMD (P/N: NG.0094034.A)
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TRANSISTOR MONTADO, TIPO TJB, TENSAO 60V, CORRENTE 5A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, ENCAPSULAMENTO SOT-89 Código do Material: 000000000010708906
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TRANSISTOR MONTADO, TIPO TJB, TENSAO 60V, CORRENTE 5A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, ENCAPSULAMENTO SOT-89 Código do Material: 000000000010708906
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Transistor do tipo IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor para tensoes de ate 600V e corrente maxima de 75A (100C) nominal, em encapsulamento tipo TO-247 . - Ref. IRGP4066DPBF - 3317
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MTG100A 600V, SEMICONDUTOR MODULO TIRISTOR (COMPONENTE ELETRÔNICO) MTG 100A 600V CÓD. INTERNO: 30036
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** 0505-003752
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** 0505-003752
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269.5020.00 transistor, semicondutor, montado, para montagem em superfície (SMD), 3,6W. FATURA:3073324.
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BSC117N08NS5: Transistor do tipo Mosfet com a função de amplificar um sinal de entrada e obter um ganho de sinal na saída, este modelo é utilizado por diversos fabricantes de equipamentos eletrônicos, é peça integrante dos seguintes produtos: estágio
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TRANSISTOR MONTADO FET NMOS 600V/10A 0R60 TO-220F (CS10N60FA9HD) - ROHS - TRA0120-RS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11152077 - 01.EQ5.FK3103BB30A - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,67W, FKBB3103 ., FKBB3103 - (INVOICE: BOQ2020070024 - ITEM NR:114). 01.EQ5.FK3
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TRANSISTOR MOSFET TIPO N, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 68W, MONTADO. REF: 2940
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TRANSISTOR MOSFET TIPO P, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 69W, MONTADO. REF: 2946
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N 600V 5A 60W 3 PINOS MAIS TAB IPAK TUBO. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONICOS. - STU7N60M2(
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CODIGO DE ESTOQUE: 00056582 - TRANSISTOR MONTADO THROUGH HOLE TO247-AD 600V 70A 481W NAO SMD - IXKH70N60C5
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, ENCAPSULAMENTO ECONOPIM3, TIPO MODULO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TIPO DE MONTAGEM EM PCI PRESS-FIT Código do Material: 000000000012545055
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANS SMD AONR32340C 1N DFNC045490012CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045490012 SB00001U100 1045490012
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Circuito integrado amplificador de audio, 1 canal com 160W de potencia maxima. Para sistemas de montagem em superficie (SMD), encapsulamento PQFN 5x6. - Ref. IR4321MTRPBF - 6781
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Circuito integrado amplificador de audio, 1 canal com 160W de potencia maxima. Para sistemas de montagem em superficie (SMD), encapsulamento PQFN 5x6. - Ref. IR4321MTRPBF - 6781
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TRA0100 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE 200V, CORRENTE DE 24A, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 150W, ENCAPSULAMENTO TO-252, MODELO NCE0224AK.
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, IGBT, MONTADO, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 200W, ENCAPSULAMENTO
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TRANSISTOR FET NMOS 600V 7A 0R52 TO220F - ROHS - TRA0082-RS
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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BSC160N10NS3G: Transistor do tipo Mosfet com a função de amplificar um sinal de entrada e obter um ganho de sinal na saída, este modelo é utilizado por diversos fabricantes de equipamentos eletrônicos, é peça integrante dos seguintes produtos: estági
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0003251-4 - BTA40-600B - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A ENCAP.RD-91 //GATE 50MA - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0003251-4 - BTA40-600B - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 600V 40A ENCAP.RD-91 //GATE 50MA - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK61913702 EBK61913702, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W, SSM3J332R., SSM3J332R, 30V, 6A, 0.072OHM, SOT23, 3P.
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TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) - MOSFET CHANNEL N TO-220 FDP8440 - COD. IMPORTADOR:13078 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS. INVOICE: 328880
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9630 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9630
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, SSC8036GQ4, DFN DE 8 TERMINAIS, 30V ,18A ,24W PN:POS01EQ6S803603380 01.EQ6.S803603380A POS01EQ6S803603380
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FF300R12KT4HOSA1, FF300R12KT4HOSA1 - TRANSISTOR (COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1W) - 5865
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OUTROS TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM100GB125DN - SEMITRANS 2NI - 21915390 UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9610 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 75W 949568-9610
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TRANSISTOR FET NMOS 650V 20A 0R16 TO220F - ROHS - TRA0124-RS
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TRANSISTOR FET NMOS 650V 20A 0R16 TO220F - ROHS - TRA0124-RS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9620 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W 949568-9620
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P/N: 40107080 - IPD60R950C6 D/C: 20 TRANSISTOR N-CHANNEL MOSFET SPD04N6055 600 INFINEON IPD60R950C6(IPD60R950C6ATMA1) - Outros Transistores, montados - Transistores(SMD acima de 1W) - Transistor SMD - potencia 50W - tensao 600V - corrente 4,5A.
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Módulo IGBT de 600A em 690V para ser instalado na fase de saída do conversor de frequência FC-102, FC-202 e FC-302, marca Danfoss. 176F6643
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RYN1234699/2 TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) NFET, COM TENSAO DE 40V, CORRENTE DE 37A, ENCAPSULAMENTO PAK SO8, TEMPERATURA DE OPERACAO: -45/+150ºC, RESISTENCIA DE 1.4MOHM (VGS= 4.5V) VGS(TH)=1.2-
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9610 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 75W 949568-9610
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EBK61952002 TRANSISTOR MOSFET(N)MONTADO,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD)COM POTENCIA SUPERIOR A 1W,17W,100V,7A,AOD2922,PARA MONITOR DESKTOP
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MODULOS SENDO: TRANSISTOR DE CIRCUITO INTEGRADO - MOSFET SMART HALF BRIDGE SMD T0-263-8
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TRS10225 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET), P-CHANNEL, COM DISSIPACAO TOTAL DE POTENCIA DE 1.4W, PARA TENSAO DE 20V, SOT23, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM TECNOLOGIA SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE).
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, HP8K24TB, DFN DE 8 TERMINAIS, 30V ,27A ,32W PN:POS01EQ6HP8K24TS08 01.EQ6.HP8K24TS08A POS01EQ6HP8K24TS08
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR BSC0923NDI 2N PGTI C045010049CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE = 2.5W 1045010049 SB000011N00 1045010049
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO, CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA E SOBRETENSAO ACIMA DE 18V QUE LIMITA A CORRENTE ELETRICA EM 28A. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO EL
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, IGBT, MONTADO, TIPO 2 IGBTS+DIODO BOOST, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 80A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 200W, ENCAPSULAMENTO EASY1B,
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TRANSISTOR APRESENTADO MONTADO SENDO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD-SURFACE MOUNTED DEVICE) EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 2W (P/N: 520963555466)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR EMF50N03J 1N SOT23C045210005CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 1.25W 1045210005 SB00001EP00 1045210005
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IRFP4568PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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TRANSISTOR MONTADO, JMTK1404A - PART NUMBER: 21349 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS
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TRANSISTOR SMD REF: BC817-25
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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TRANSISTOR FET NMOS 650V 20A 0R19 TO220F - ROHS - TRA0155-RS
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BD13916STU - PO - 478.442 - TRANSISTOR, MONTADO, PTH (MONTAGEM ATRAVES DOS FUROS), BIPOLAR, NPN, DISSIPACAO DE POTENCIA 1,25 WATTS/ - P/N - 1060653
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TRANSISTOR MONTADO, DMT4003SCT - PART NUMBER: 13168 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-7520 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W 949568-7520
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS16N65FA9H PTH, 650V / 16A / 70W 11-CS1665-0BX #821279#
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P/N: 2SC3632-Z-E1-AZ - (SENSE P/N: 4000000504) - Outros Transistores, montados - Transistores - Transistor Discreto acima 1W - Potencia 2W - Corrente 2A - Tensao 600V
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8905508431 - TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLÁSTICO, PRÓPRIO PARAMONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO MÁXIMA DE POTÊNCIA DE158 WATTS, PARA TENSÕES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVACOM P
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 150A 1200V - FF150R12RT4 - 0039575, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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MODULO IGBT - TRANSISTOR BIPOLAR COM GATILHO ISOLADO - 150A 1200V - FF150R12RT4 - 0039575, PARA INDUSTRIALIZACAO EM CONVERSOR ESTATICO UPS TIPO NO-BREAK.
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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BAM54020001 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATT, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR MODELO: TRANS MOS CSD25402Q3A (-20V,-72A,2.8W)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO MOS COM CORRENTE MAXIMA 300MA E CAPACITADE DE DISSIPAC O DE 1,5W CPVD003FD
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO MOS COM CORRENTE MAXIMA 300MA E CAPACITADE DE DISSIPAC O DE 1,5W CPVD003FC
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TRANSISTOR MOSFET HIGH SIDE DRIVER-VN5160STR-E 36V5,4A SMD (P/N: NG.0094034.A)
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TRANSISTORES DARLINGTON MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 65W, DE INTENSIDADE DE CORRENTE DE 5A E TENSAO DE 100V, PROPRIOS P/ MONTAGEM POR INSERCAO PTH(PIN THROUGH HOLE), REF.: TIP127 (CODKX/PEDIDO/SEQ.:18296-STM-I/4500057768/00170)
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TRANSISTORES IGBT TRENCH MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 37W, DE INTENSIDADE DE CORRENTE DE 40A E TENSAO DE 600V, PROPRIOS P/ MONTAGEM POR INSERCAO PTH(PIN THROUGH HOLE), REF.: STGF20H60DF (CODKX/PEDIDO/SEQ.:18231-STM-I/4500064814/0013
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TRANSISTORES IGBT TRENCH MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 37W, DE INTENSIDADE DE CORRENTE DE 40A E TENSAO DE 600V, PROPRIOS P/ MONTAGEM POR INSERCAO PTH(PIN THROUGH HOLE), REF.: STGF20H60DF (CODKX/PEDIDO/SEQ.:18231-STM-I/4500064814/0014
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. P-MOSFET EMB20P03A TO-252 CAPACIDADE DE DISSIPAC O 42W PQ4504. , UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-01550000 07005-01550000 07005-01550000
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TRANSISTOR MOSFET HIGH SIDE DRIVER-VN5160STR-E 36V5,4A SMD (P/N: NG.0094034.A)
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OUTROS TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM150GB12T4 - 22892040
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192047737 - Codigo do Material: 192047737 TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EMSUPERFICIE (SMD),COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE 2,4W, FDMA908PZ
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192047737 - Codigo do Material: 192047737 TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EMSUPERFICIE (SMD),COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE 2,4W, FDMA908PZ
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MODULO DUPLO DE IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR / TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA) FUNÇÃO: CHAVEAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES. CORRENTE: 1200A TENSÃO: 1700V P/N SIEMENS: A1A099068 COD POWEREX:CM1200DB-34N (P/N: A7B91500504121) (P/N Fab
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Transistor tipo IGBT, para corrente maxima (Id) de 80A e voltagem maxima (Vdss) de 650V. Para sistema de montagem through-hole (PTH), encapsulamento TO-247. - Ref. STGW80H65DFB - 5746
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TRANSISTOR MONTADO, MOSFET CHANNEL N IRFB448PBF TO-220 - PART NUMBER: 13162 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS - INVOICE 011806872
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BAM36380000 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL-OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V, INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA 24A, POTENCIA DE DISSIPACAO DE 26W, DFN, 8P, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR TECNOLOG
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FF200R12KT4: MODULO DE TRANSISTOR DO TIPO IGBT PARA ALTAS FREQUENCIAS DE CHAVEAMENTO, TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE MONTADO EM TROCADORES DE CALOR, VASTAMENTE
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PK810BA 1N PDFNC045370014CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 1W 1045370014 SB00001NV00 1045370014
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IRFP1405PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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ITEM 41 - Transistor Fet ref.: IRGP4650DPBF - REF.: NHS 010650
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63611801 EBK63611801, TRANSISTOR BIPOLAR MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,1W, ZXTN19020DZQTA, NPN, 7V, 70V, 7.5A, 20A, 210, 1.8W, SOT89 R/TP 3P.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 3,1W 30V 32A, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (P-MOS SM3337PSQGC-TRG DFN3X3-8) PN:SBAR5401001 INV:MM1+D80225 SBAR5401001 SBAR5401001 07G0051540
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TRANSISTOR MOSFET N-CH 30V 73A - 8SON , PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE - P/N: ETSC3301
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. , 17.8W, PARA TERMINAL DE CAPTURA DE DADOS (TRANSACOSES COMERCIAIS), MOSFET, WNM2021 SOT-323 TP (MOS TUBE) PN:SBNWNM00J03 INV:B2020010039 SBNWNM00J03 SBNWNM00J03 106030003
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, PTH, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 290W. IGBT 40N60NPFD (ROH)(220V) 2000905
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1200 V, CORRENTE 200 A, ENCAPSULAMENTO ECONOPACK3, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 175°C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO PRESS-FIT EM PLAC
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8905502748 - TRANSISTOR, 125W DE POTENCIA DE DISSIPACAO, MONTADO, PARA CHAVEAMENTO E AMPLIFICAÇÃO DE SINAIS ELÉTRICOS, UTILIZADO NA CONSTRUÇÃO DA UNIDADE DE COMANDO (DA 2013140869-001-2)2013140869-001-2
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** PJL9409,P,30V,50A,0.035OHM,3** 0505-003752
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TRA0110 - TRANSISTOR MOSFET CANAL P, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE -20V, CORRENTE DE -70A, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 130W, MODELO NCE20P70G.
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MODULO COMPOSTO POR 2 TRANSISTORES ELETRICOS IGBT COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1470W DENOMINADO COMERCIALMENTE 2MBI300U4H170 (P/N: 40290334)
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 300 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 85 W, ENCAPSULAMENTO ECONODUAL3, PROPRIO PA
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Transistor montado, próprio para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) (P/N: 214571100)
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**MOSFET, 700V 6A IPAK RFR 50W #JS0054R# INV:0090363581 JS0054R
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TRA0110 - TRANSISTOR MOSFET CANAL P, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE -20V, CORRENTE DE -70A, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 130W, MODELO NCE20P70G.
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DSS60601MZ4-13 TRANS NPN 60V 6A SOT-223,17978-DIO-I,(PEDIDO SEQ.4500071228,00100) 17978-DIO-I
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL-OXIDO CANAL P COM CAPACIDADE DE DISSIPA ÇÃO 2.5W, 30V E 8A MONTADOS, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE - P/N: ETS C3271
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MODULOS SENDO: TRANSISTOR -MOSFET SMART HIGH SIDE SMD PG-DSO-20 34V 2X5A BTS740S2
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LFMOTCR001116A01 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO TIPO MOSFET COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO 50 WATTS PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD
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35127517 - TRANSISTOR (DA 2010822896-001-1)
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 30 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 10 W, ENCAPSULAMENTO EASY1B, PROPRIO PARA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**DMG4435SSS-13,P,-30V,-7.3A,1** DMG4435SSS-13,P,-30V,-7.3A,1** 0505-003205
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192006012 - Codigo do Material: 192006012 TRANSISTOR MONTADO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD2222A NPN 40V0 ,6A SOT89 LF CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1.1W
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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TRA0107 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE 20V, CORRENTE DE 224mA, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 120mW, ENCAPSULAMENTO XLLGA-3
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084.21321.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD SURFACE MOUNTED DEVICE),PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR 161531 P/N:
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS N,AONS36346FD,VDSS=30V,ID(MAX)=60A T), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA. CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:51032V400-262-H INV:NVM5233 51032V400-262-H
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0025710-9 - 2SC5200-O - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 15A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**850088858 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; POTENCIA: 40 W; POTENCIAL ELETRICO/TENSAO: 700 V; CODIGO ITEM-FORNECEDOR: 850088858 763500132
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**850088858 TRANSISTOR; TIPO: MOSFET; POLARIDADE: CANAL N; SUBTIPO: MONTADO; MONTAGEM: SMD; POTENCIA: 40 W; POTENCIAL ELETRICO/TENSAO: 700 V; CODIGO ITEM-FORNECEDOR: 850088858 763500132
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34116040A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 300W - IPB80N04S2-H4
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A2C00032771 TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO SUPERIOR A 1W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE(SMD).
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FF600R12KE4 : Módulo de transistor do tipo IGBT, composto por 2 Igbts conectados em série topologia chamada de phase-leg para atuar em frequências de chaveamento de até 30kHz, tem a função de amplificar sinais elétricos de baixas amplitudes ora dens
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COMPONENTE ELETRONICO TRANSISTOR MOSFET , PARA SISTEMA ELETRONICO - P/N RV04097399 - REF. IRFS4010-7PPBF, MODELO IRFS4010-7PPBF, CONSTITUIDO EM SILICIO E PLASTICO, FABRICADO EM OXIDO METLICO ,UTILIZADO EM CIRCUITOS ELETRONICOS DIGITAIS E ANALOGICOS C
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IRFB52N15DPBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: ESTA
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IRFB7545PBF: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: FONTES
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00213342 - TRANSISTOR MOSFET, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA IGUAL A 1W, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD),SSM3J351R
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00213342 - TRANSISTOR MOSFET, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA IGUAL A 1W, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD),SSM3J351R
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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ORG(0600);PN(15060495);
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO NPN 800V 1.5A TO-92 RFR - 1.1W #JM0308SAM# INV:0090364034 JM0308SAM
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 100 A, ENCAPSULAMENTO ECONO3, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 175°C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS, MOSFET, PK5N2EA EDFN TP (72A0F8BO189, C5PRH SB00001IC00 CQBR) 0.8W, PN:SBM1IC00Z07 INV:88360714 SBM1IC00Z07 S
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87072300065 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V (VDS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 24A(ID) A 25oC, POTENCIA DE 26W A 25oC, DFN 5X6, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO
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TRANSISTOR MOSFET, TENSAO 42V, CORRENTE 3A, 50MOHM, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD (SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA PRODUTOS ELETRONICOS AUTOMOTIVOS REF. BSP78HUMA1,BSP78HUMA1 - COD. DO IMPORTADOR: 406-030006-00
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TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM300GB12T4 - 22892070
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0011520-7 - 2SA1837 - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 1A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0043352-7 - 2SC4793 - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 1A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 1200 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 5170 W, ENCAPSULAMENTO LV100, REFERENCIA CM1200DW-24T
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RYN1234669 - Transistor NFET, tensão:100V, corrente:12.4A, potência 2,5W, encapsulamento plastico:PowerPAK SO8, temperatura de operação:-55/+150° C, 13.5mohm(Vgs=6V) Vgs(th)=2-4V, próprio para montagem em superfície. (DA 2013309421-018-2)2013309421-0
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8905504090 - TRANSISTOR HIFET, MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA DE 21 WATTS,PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), PRÓPRIO PARA LIMTITAÇÃO DE CORRENTE EPROTEÇÃO ESD.* (DA 2015543308-001-1)2015543308-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11152077 - 01.EQ5.FK3103BB30A - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,67W, FKBB3103 ., FKBB3103 - (INVOICE: BOQ2020070028 - ITEM NR: 114). 01.EQ5.FK
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TRANSISTOR MOSFET SMART LOW SIDE SMD PG-SOT223-4 60V 0.7A BSP75N
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A2C00050643 TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA SUPERIOR A 1W(60W), MODELO SPD30N03S2L-20, FABRICANTE INFINEON TECHNOLOGIES
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9610 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 75W 949568-9610
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GW120T2228P0001 - Codigo do Material: GW120T2228P0001 MODULO DE IGBT S MITSUBISHI
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA180°, TENSAO 600V, CORRENTE 75A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL Código do Material: 000000000010189919
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TRANSISTOR IGBT, MONTADO EM PCI SOLDA180°, TENSAO 600V, CORRENTE 75A, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL Código do Material: 000000000010189919
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Q_XB_..PM_.2,3W_NVF2955.._AEC-Q101 (P/N: 520963555466)
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BAM63540000 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL-OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE 30V, INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA 83A, POTENCIA DE DISSIPACAO DE 5.6W, 10P, DFN5X6, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR TEC
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MODULOS SENDO: TRANSISTOR DE CIRCUITO INTEGRADO - MOSFET SMART HIGH SIDE SMD PG-TO223-4
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PK810BA 1N PDFNC045370014CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 1W 1045370014 SB00001NV00 1045370014
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IPP083N10N5: TRANSISTOR DO TIPO MOSFET COM A FUNCAO DE AMPLIFICAR UM SINAL DE ENTRADA E OBTER UM GANHO DE SINAL NA SAIDA, ESTE MODELO E UTILIZADO POR DIVERSOS FABRICANTES DE EQUIPAMENTOS ELETRONICOS, E PECA INTEGRANTE DOS SEGUINTES PRODUTOS: ESTAGI
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9090 TRANSISTOR, MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 40W 949568-9090
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**EBK60711201 EBK60711201, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 89W, IRF6775MTRPBF, N-CHANNEL MOSFET, 150V +-20 4.9A, 0.047 OHM, 2.8W, DIRECTFET MZ R/TP
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**EBK60711201 EBK60711201, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 89W, IRF6775MTRPBF, N-CHANNEL MOSFET, 150V +-20 4.9A, 0.047 OHM, 2.8W, DIRECTFET MZ R/TP
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**EBK60711201 EBK60711201, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 89W, IRF6775MTRPBF, N-CHANNEL MOSFET, 150V +-20 4.9A, 0.047 OHM, 2.8W, DIRECTFET MZ R/TP
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0003249-2 - BTA12-600SWRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 126 A 600 V - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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P/N: MJD44H11RLG (1.3.4.1.42) - TRANSISTOR SMD NPN 8A 80V 20W (D-PAK) MONTADO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9630 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9630
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0505-002386 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA SUPERIOR A 1W ( 1.5W), AO3415AL -
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0505-002386 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA SUPERIOR A 1W ( 1.5W), AO3415AL -
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-4720 TRANSISTOR SMD MN638S, TRANSISTOR , ECU.001-09/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1.2W AZ949568-4720
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TRA0069-RS - TRANSISTOR IRF 3205 TO220AB - ROHS 200W - TRA006
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, NAO SENDO PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: NGTB40N65FL2WG
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-4720 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR MN638S ECU. 001-08/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1.2W AZ949568-4720
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0007947-2 - BTA24-800CWRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 25A 800V - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR PARA MONTAGEM SMD EM PLACA ELETRONICA COM POTENCIA 3,8W - BSP78 / 7GA3C0043C0 - COD: 35894
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TRANSISTOR IGBT BIPOLAR DE CORRENTE 50A, E TENSAO DE 600V, PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR SOLDA Código do Material: 000000000010189918
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. ** SUFRAMA ** 949568-9630 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9630
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TRANSISTOR APRESENTADO MONTADO SENDO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD-SURFACE MOUNTED DEVICE) EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 22W (P/N: 520963550616)
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MODULOS SENDO: TRANSISTOR MOSFET SMART HIGH SIDE SMD PG-TO263-5 42V 11A BTS432E2-E3062
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO INFERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - -SURFACE MOUNTED DEVICE -), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO, POTENCIA: TRANSIS BAM36310002
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. (TRANSISTOR) SSM3K361R,LF(T, 1.2W, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM PN:SBTC0055308 INV:F620121230 FX-104.00553.005 SBTC0055308 SSM3K361R
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. (TRANSISTOR) SSM3K361R,LF(T, 1.2WATTS, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM PN:SBTC0055308 INV:F620112731 FX-104.00553.005 SBTC0055308 SSM3K361R
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09-069 - TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM900GA12E4 - 22892130
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TRA0130-RS - TRANSISTOR 600V/2A JCS2N60FB TO-251 - ROHS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 30V 20A, MDV3605URH, 3.4W.MOSFET SINGLE P-CHANNEL 18M OHM PDFN33 LEAD-FREE - 527 PN:POS1139110 07.02.49.010701-527 POS1139110
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSÍVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MÓDULOS OU EM PAINÉIS; DIODOS EMISSORES DE LUZ; CRISTAIS PIEZELÉTRICOS MONTADOS. - TRANS
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A2C00051006 TRANSISTOR MOSFET, CANAL P, COM POTENCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3.75W, MONTADA PRÓPRIO PARA MONTAGEM POR SUPERFÍCIE SMD, MODELO FQB34P10TM
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A2C00051006 TRANSISTOR MOSFET, CANAL P, COM POTENCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3.75W, MONTADA PRÓPRIO PARA MONTAGEM POR SUPERFÍCIE SMD, MODELO FQB34P10TM
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TRANSISTOR PARA MONTAGEM SMD EM PLACA ELETRONICA COM POTENCIA 3,8W - COD. 3 4712
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD., (MOS P,VDSS=-30V,ID(MAX)=-71A TC=25C,CISS), UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 52W PN:510414T00-293-H INV:NVM5233 510414T00-293-H
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TRANSISTOR APRESENTADO MONTADO SENDO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD-SURFACE MOUNTED DEVICE) EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 2W (P/N: 520963555466)
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**POWER MOSFET TRANSISTOR FET DE CANAL P 2SJ673-AZ PTH 200V, 2.5A, 2~32W TRANSISTOR, MONTADO, PTH. PN:NBCA47100-6623 CA47100-6623 NBCA47100-6623
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 1,32W 30V 35A , PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (N-MOS SM3308NSQAC-TRG DFN3*3) PN:SBAR6701008 INV:MM1+D80225 SBAR6701008 SBAR6701008 07G0051670
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BAM34150001 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATT, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL. MODELO: TR
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AONY36354 DFN 8PINC045540087CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045540087 075.36354.0073 1045540087
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+TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, SMD, -200V Vds 20V Vgs, 22 A 68 W, REF.:78-SQJ431AEP-T1_GE3 (018045 - I33477)
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.,FET YJL07P03AL-P CHANNEL-30V-7A-23M-SOT23-3), TENS O: 30V , CORRENTE: 7A, POTENCIA: 0.7W, RESISTENCIA: 23M OHMS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-2390 TRANSISTOR MONTADO SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 2W 949568-2390
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TRANSISTOR MOSFET HIGH SIDE DRIVER-VN5160STR-E 36V5,4A SMD (P/N: NG.0094034.A)
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EBK61312501 TRANSISTOR MOSFET(P)MONTADO,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD)COM POTENCIA SUPERIOR A 1W,83W,30V,50A,AON7405,PARA NOTEBOOK,ALL IN ONE
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO INVERSOR 6 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 150 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 42,5 W, ENCAPSULAMENTO ECONO3, PROPRIO PARA MONTAG
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR CHAVEAMENTO FET MOS 34W 650,0V 15,0A PTH M04NTSF65R30VF M04NTSF65R30VF
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A31SB00001ST00 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS(1.3W), PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL.
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TRANSISTOR MOSFETN, 16A DE CORRENTE, 20V DE TENSÃO, MONTAGEM SMD SOIC-8. - UTILIZAÇÃO: MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (PCB) AXION - FUNÇÃO: SEMICONDUTOR PARA RETIFICAÇÃO DE CORRENTE ELÉTRICA. CÓD: 4801457
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, COM CORRENTE DE 3A, TENSAO DE TRABALHO DE 100V, PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: MJD31CT4G
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (CHANNEL-DOUBLE MOS-30V-5.1A-59MO-SOP8), MODO DE APRIMORAMENTO DE CANAL P, 8 PINOS, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 2,5W, TENSAO
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (CHANNEL-DOUBLE MOS-30V-5.1A-59MO-SOP8), MODO DE APRIMORAMENTO DE CANAL P, 8 PINOS, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 2,5W, TENSAO
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (CHANNEL-DOUBLE MOS-30V-5.1A-59MO-SOP8), MODO DE APRIMORAMENTO DE CANAL P, 8 PINOS, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 2,5W, TENSAO
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (CHANNEL-DOUBLE MOS-30V-5.1A-59MO-SOP8), MODO DE APRIMORAMENTO DE CANAL P, 8 PINOS, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 2,5W, TENSAO
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA (CHANNEL-DOUBLE MOS-30V-5.1A-59MO-SOP8), MODO DE APRIMORAMENTO DE CANAL P, 8 PINOS, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 2,5W, TENSAO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD TRANSISTOR SMD AON6324 1N DFN DG521 SB00001H100 000010 87037100076 000004771 35W, PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINA DE PROCESSAMENTO DE DADOS. PN:SB01H100LX9 INV:97220367 SB
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100200920 - IRGB4630DPBF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT PTH COM 600V TO-220AB-3 E CORRENTE DE 30A 100°C.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AO4801AS,P,-30V,-5A,2W,SOIC-** AO4801AS,P,-30V,-5A,2W,SOIC-** 0505-002893
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK62371603 EBK62371603, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM POR INSERCAO (PTH), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 31W, IPA60R400CE, 650V 10.3A 0.4OHM, TO220 R/TP 3P.
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FF150R12RT4: MODULO DE TRANSISTOR DO TIPO IGBT PARA MEDIAS FREQUENCIAS DE CHAVEAMENTO, TEM A FUNCAO DE AMPLIFICAR SINAIS ELETRICOS DE BAIXAS AMPLITUDES ORA DENSIDADES DE ENERGIA/CORRENTE ELETRICA. COMPONENTE MONTADO EM TROCADORES DE CALOR, VASTAMENTE
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TRA0120-RS - TRANSISTOR MONTADO FET NMOS 600V/10A 0R60 TO-220F (CS10N60FA9HD) - ROHS - TRA0120-RS
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92-02000588067 - TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA DE 80W, PROPRIO PARA MONTAGEM POR INSERCAO(PTH), TO251, MJGIRF7N65H
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00761A05.MC, 2044-KJ00761A06.MC.
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Transistores, 20Volts, c/ montagem em superficie, nas seguintes quantidades, especificacoes e modelos: 15.000 - Transistor Dual Channel Power Mosfet FS8205A TSSOP8 20V/ 6A/ 1W - FS8205A;15.000 - Transistor Dual Channel Power Mosfet TSSOP8 - 20V/ 6
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00951A09.MC, 2044-KJ0095108A.MC.
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00686A0A.MC, 2044-KJ00686A09.MC.
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100201899 - IKP28N65ES5XKSA1 - TRANSISTOR MONTADO IGBT PTH 650V 28A PG-TO220-3
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00686A06A.MC, 2044-KJ00686A07A.MC, 2044-KJ00686A08.MC.
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00686A0I.MC, 2044-KJ00686A0HA.MC, 2044-KJ00686A0IA.MC.
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, NAO SENDO PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: MJD32CT4G
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TRANSISTOR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL DE 1200V, CORRENTE DE 25 A ENCAPSULAMENTO SMART1 Código do Material: 000000000011337527
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230228: TRANSISTOR, MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 333W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD) REF FDB075N15A,FDB075N15A
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230228: TRANSISTOR, MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 333W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD) REF IPB048N15N5, FDB075N15A
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD PNP,3A/3W,PDFN3X2-8L,H 0.9MAX ED02-WPT2N4-000 -MS50L CP575EZ
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019.003.600.0001_TRANSISTOR MOSFET CANAL N 60V 20A, ENCAPS:DPAK, CASE 369AA, PN:NTD5867NLT4G, FAB:ON - DIST. AUT._TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO C/ CAP. DE DISS. SUP. A 1W MONTADO, PROPRIO P/ MONT. EM SUP. (SMD)
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TRANSISTOR IGBT TIPO N, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 125W, MONTADO. REF.: 261
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD -12V,-2.4A,112MOHM,-8V,SOT23 DISSIPAC O 1,1W 15060150-002
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TRA0117-RS - TRANSISTOR FET NMOS 600V 6A 1R3 TO-220F-3L (SVF6N60F) - ROHS
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OUTROS TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM1400GB17R8 - 22898412
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Codigo do Material: 07005-A0570000 Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 w atts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mo unted Device-), para uso em placa de circuito impresso de mi crocomputador;Ý5,840593;5;;¨
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TRANSISTOR MONTADO, IGBT TO-220 IRGB4630DPBF - COD. IMPORTADOR: 13374 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS. INVOICE: 2020-384.
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TRANSISTOR IGBT, COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR IGBT, MONTADO, TIPO 6 IGBTS+DRLS+GATE DRIVER, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 15 A, ENCAPSULAMENTO MSIP, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150° C, PROPRIO PARA MONTAGEM TIPO SOLDA - MONTAGEM 180°
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR AONS32314 1N DFN-8C045420013CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420013 SB00001NY00 1045420013
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P/N: PJD14P10A_L2_00001 (1.3.4.1.67) - TRANSISTOR SMD MOSFET CANAL P (60V 12A 55W) MONTADO TO-252AA
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0003249-2 - BTA12-600SWRG - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 126 A 600 V - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK64811601 EBK64811601, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, PARA MONTAGEM POR INSERCAO (PTH), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 30W, IPA60R190P6, 650V +-20 20.2A 0.19 OHM 34W TO220F 3P.
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DIODOS, TRANSISTORES E DISPOSITIVOS SEMELHANTES SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS FOTOSSENSIVEIS SEMICONDUTORES, INCLUINDO AS CELULAS FOTOVOLTAICAS, MESMO MONTADAS EM MODULOS SENDO: TRANSISTOR - MOSFET SMART HIGH SIDE SMD PG-TO252-5 52V 2A BTS452R
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5088 726-IPD90N10S4L06ATM TRANSISTOR MOSFET CANAL-N VDS 100V ID 90A
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FQD13N10LTM,FQD13N10LTM - TRANSISTOR, MOSFET, POTENCIA 2.5W, TENSAO 100V, CORRENTE 10A, SMD*006161*
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, NAO SENDO PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: BC547BTA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MOSFET SMD (PD=2W) RSS090N03-TBB
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK62031301 EBK62031301, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, SMD, C/ CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W, MDD5N40RH, 3.4A 1.6OHM 3P.
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TRANSISTOR MONTADO, Mosfet P-H 100V 23A TO-220 - PART NUMBER: IRF9540PBF
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63671301 EBK63671301, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 78 W, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), KF9N40D, 400V 30 6.5A 0.83 OHM DPAK R/TP 2P.
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TRANSISTOR MOSFET NCV8403 42V 14A SELF-PROTECTEDSMD (P/N: NG.0104306.A)
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TRANSISTOR MONTADO, IRFB428PBF - PART NUMBER: 13168 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS.
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A2C40012828 Transistor SOT223, 40V, para montagem em superficie (SMD - Surface Mounted Device)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK62031301, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, SMD, C/ CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W, MDD5N40RH, 3.4A 1.6OHM 3P. EBK62031301
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0704-04YE000 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL. MODELO:
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Transistor tipo IGBT, para corrente maxima (Id) de 40A e voltagem maxima (Vdss) de 650V. Para sistema de montagem through-hole (PTH), encapsulamento TO-247. - Ref. STGW40H65DFB - 8890
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20-0674-01 - TRANSISTOR DO TIPO CHAVEADOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 214W, PARA TENSAO DE 100V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 25A, COM ENCAPSULAMENTO TO-220, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO POR INSERCAO PTH (PIN THROUGH HO
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RN230038-TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL SMD STD25NF10LT4 ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=100V RDS(ON) =35M ID=25A 100W MARCA ST PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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1267377477 - TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 2W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEMEM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDOELETRÔNICO. (DA 2017601372-001-1)2017601372-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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TRANSISTOR MONTADO, MOSFET CHANNEL N TO-220 IRF1404 - PART NUMBER: 13043 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11152073 - 01.EQ6.S803603380A - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 24W, SSC8036GQ4., SSC8036GQ4 - (INVOICE: BOQ2020070024 - ITEM NR:112). 01.EQ6.S8
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TRANSISTOR TIPO TJB, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 1,5W, TENSAO DE 60V, CORRENTE DE 4,3A, ENCAPSULAMENTO SOT-89, PARA MONTAGEM TIPO SMD EM PCI Código do Material: 000000000010759035
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. PMOS 13A, 100V. POWER DISSIPATION 20W. PN:P652006D-FEF000 INV:00616313 P652006D-FEF000 P652006D-FEF000
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. PMOS 13A, 100V. POWER DISSIPATION 20W. INV:615405 P652006D-FEF000 P652006D-FEF000
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TRA0111 - TRANSISTOR MOSFET CANAL N, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO 60V, POTENCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3.2W, CORRENTE DE DRENO DE 17A, MODELO CSD18533Q5A
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EBK61952002 TRANSISTOR MOSFET(N)MONTADO,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD)COM POTENCIA SUPERIOR A 1W,17W,100V,7A,AOD2922,PARA MONITOR DESKTOP
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34116339A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 56W - PN fornecedor: IPD50N03S4L-06
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13850 - TRANSISTOR MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC. OUTROS TRANSISTORES MONTADOS. TRANSISTOR MOSFET PARA MONTAGEM SMD COM 8 TERMINAIS. LIMITADO A CORRENTE A 14A, ESSE COMPONENTE E UTILIZADO EM CIRCUITOS PWM. 25V NO GATE E BAIXA CORRENTE. CODIGOINSTRAMED:13
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ULN2003ADR,ULN2003D1013TR - TRANSISTOR DARLINGTON, POLARIDADE NPN, CORRENTE COLETOR 0.5A, TENSAO EMISSOR 50V, SMD*001670*
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17B37211A - MODULO TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DISSIPACAO 3 WATTS, TENSAO 220 VOLTS, APLICACAO EM APARELHO DE AR-CONDICIONADO, REFERENCIA HITACHI 17B37211A.
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A2C52003076 TRANSISTOR PNP DE BAIXO SINAL, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 1.4W, REFERÊNCIA BCP53-16, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD).
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8905504090 - TRANSISTOR HIFET, MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA DE 21 WATTS,PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), PRÓPRIO PARA LIMTITAÇÃO DE CORRENTE EPROTEÇÃO ESD.* (DA 2016021089-001-1)2016021089-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS16N65FA9H PTH, 650V / 16A / 70W 11-CS1665-0BX #821279#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD -12V,-2.4A,112MOHM,-8V,SOT23 DISSIPAC O 1,1W 15060150-002
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1853-0963 - TRANSISTOR DE JUNCAO BIPOLAR (TIPO PNP), PARA TENSAO DE 20V(VCE), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 2A(IC), POTENCIA DE 1.35W, SOT223, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO POR TECNOLOGIA SMT (SURFACE MOUNTED TECHNOLOGY).
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PFET SOT223 30V 5.2A 100M - PO - 480.677 - TRANSISTOR, MONTADO, SMD (MONTAGEM SOBRE SUPERFICIE), TIPO MOSFET, DISSIPACAO DE POTENCIA 3,13 WATTS/ - P/N - 1060054
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. SSF3611E, 2W, PARA SUBCONJUNTO CHASSI DE RECEPTOR DE SINAL PN:SBSN3611G03 INV:146188 SBSN3611G03 SBSN3611G03 SSF3611E
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. PMOS 20A, 60V, WDFN8. POWER DISSIPATION 3.2W. PN:P651416B-FDE000 INV:1D28ZU P651416B-FDE000 P651416B-FDE000
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MOSFET SMD (PD=2W) RSS090N03-TBB
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TRA0130-RS - TRANSISTOR 600V/2A JCS2N60FB TO-251 - ROHS
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87072300060 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET), CANAL N, PARA TENSAO DE ±20V (VGS), INTENSIDADE DE CORRENTE ELETRICA DE 75A(ID) A 25oC, POTENCIA DE 50W A 25oC, EDFN 5X6, PROPRIO PARA MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRES
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TRANSISTOR DE ALTA TENSAO TIPO IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, IGBT, MONTADO, TIPO BRACO INVERSOR 2 IGBTS+DRLS, TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 75A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 200W, ENCAPSULAMENTO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS MOS AONR32320C(30V,12A,2W)DFN3X3 BAM32320000
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34116041A TRANSISTOR MOSFET N 11A 55V
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RN230009-TRANSISTOR MOSFET SMD IRLR024ZTRPBF ENCAPSULAMENTO D-PAK VDSS=55V RDS(ON)=58M ID=16A 35W MARCA INTERNATIONAL RECTIFIER (IR) OU INFINEON. PARA MONTAGEM DE CIRCUITOS ELETRONICOS DE REGULADOR DE VOLTAGEM ELETRONICO
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TRANSISTORES MONTADOS, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAIOR QUE 1W, FREQUENCIA MENOR QUE 30MHZ, NAO SENDO PARA MONTAGEM EM SMD, PN.: TIP42C
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34116041A TRANSISTOR MOSFET N 11A 55V
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Ref. SIHG47N60E-E3 - Transitor, utilizado na fabricação/montagem de conversores.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOS TUBE 17W PARA TERMINAL DE CAPTURA DE DADOS PN:SBNWNM00J03 INV:B202011050 106030003 SBNWNM00J03
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMDTRANS NTMFS4C028NT1G SO-8 52AC045290104CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE = 48 WATTS 1045290104 D03-4C02803-O05 1045290104
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PO - 479.117 - TRANSISTOR, MONTADO, SMD (PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE), MOSFET, DISSIPACAO DE POTENCIA 1,25 a 1,4 WATTS //TRANSISTOR SMD SOT-23 MOS-P IRLML5203 - P/N - 1060676
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TRANSISTOR, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 57W, IRFR5505TRPBF, 103023. 22.573.01806-2
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TRANSISTOR, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 57W, IRFR5505TRPBF, 103023. 22.573.01806-2
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RYN1236170/3 - TRANSISTOR NFET, COM TENSAO DE 100V, CORRENTE DE 120A, ENCAPSULAMENTO D2PAK, TEMPERATURA DE OPERACAO: -45/+150ºC, RESISTENCIA DE 4.8MOHM(VGS= 10V) VGS(TH)=2-4V, PROPRIOS PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE ). (DA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11136950 - 6-15-03906-7B0 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W, PDC3906Z ., TRA MOSFET N-CHANNEL H-SIDE PDC3906Z SMD PRPAK3*3 - (INVOICE: NKE20
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A2C00026152 TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA INFERIOR A 1W (O,83W), 60V, 9.7A, 400mOhM, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD)
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TRANSISTOR MONTADO, Mosfet N-CH 500V 8A TO-220 - PART NUMBER: IRF840PBF
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BEM341000600A0 - TRANSISTOR MONTADO SMD 55V 31A , CAPACIDADE DE DISSIPACAO 110W P-CH DPAK-3, INVOICE NR.: 632206, ITEM: 6, O.C.: 9000048696/00015
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. EC,TRAN SIGNAL FET,N,30V,4A,1W,SOT-23 SS 64N009-1
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**949573-2330 TRANSISTOR, MONTADO, PTH, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, N-CH, PTH COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 35W 949573-2330
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0505-002775 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA SUPERIOR A 1W ( 25W), AP2317GN -
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0505-002775 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA SUPERIOR A 1W ( 25W), AP2317GN -
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 50A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONO3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010411343
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 50A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONO3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010411343
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TRANSISTOR BIPOLAR IGBT MONTADO, COM TENSAO NOMINAL 1,2kV, CORRENTE 50A, ENCAPSULAMENTO TIPO ECONO3, FIXADO POR PARAFUSO Código do Material: 000000000010411343
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20-100425-01 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), MONTADO, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 3.2W, PARA TENSAO DE 60V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 23A, VSON-CLIP 5X6M
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TRANSISTOR FET NMOS 650V 20A 0R19 TO220F - ROHS - TRA0155-RS
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Codigo do Material: 07005-A0260000 Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 watts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mounted Device -), para uso em placa de circuito impresso de microcomputador;Ý5,175664;5;;¨
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Codigo do Material: 07005-A0400000 Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 w atts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mo unted Device-), para uso em placa de circuito impresso de mi crocomputador;Ý5,149307;5;;¨
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. MOSFET CANAL P 12V,5.5A,1.4W,DFN22-6L,UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA (DE USO EM INFORMATICA) PN:PSM01424 INV:WZ2007XS0010HWHH B10603000005 PSM01424
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK61913702 EBK61913702, TRANSISTOR MOSFET MONTADO, (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W, SSM3J332R., SSM3J332R, 30V, 6A, 0.072OHM, SOT23, 3P.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 62,5W 30V 40A , PARA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE USO EM MAQUINAS DE PROCESSAMENTO DE DADOS (P-MOSFET SM3331PSQGC-TRG) PN:SBAR4201008 INV:MM1+D80226 SBAR4201008 SBAR4201008 07G005142010AK
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51032VQ00-262-H - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), CANAL N, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 26W,6.2W(TA,TC), PARA TENSAO DE 30V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 50A,
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**810244618 TRANSISTOR TIPO: FET SUBTIPO: MONTADO MONTAGEM: SMD POTENCIA: 1.4 W POTENCIAL ELETRICO/TENSAO: 30 V COMPLEMENTO: 4.2 A 763500135
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**810244618 TRANSISTOR TIPO: FET SUBTIPO: MONTADO MONTAGEM: SMD POTENCIA: 1.4 W POTENCIAL ELETRICO/TENSAO: 30 V COMPLEMENTO: 4.2 A 763500135
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IKW50N65ES5,IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT IKW50N65ES5 - 650V/50A - PG-TO247-3 - TRANSISTORES NAO MONTADOS IGBT - 20748
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0505-002562 - TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA DE 3.1W, AON7200 -
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0505-002562 - TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA DE 3.1W, AON7200 -
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. N-MOSFET P3202CMG SOT-23 NIK CAPACIDADE DE DISSIPAC O 1,25W, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07G005788010 07G005788010 07G005788010
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANS SMD AONY36324 2N DFNC045490008CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045490008 SB00001TP00 1045490008
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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Transistor tipo MOSFET, para corrente maxima (Id) de 50A e voltagem maxima (Vdss) de 30V. Para sistema de montagem em SMD, em encapsulamento SON 5x6mm. - Ref. IRFH8318TRPBF - 6938
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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269.7030.05 transistor, semicondutor, montado, para montagem em superfície (SMD), 2,5W. FATURA:3031429.
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269.7030.05 transistor, semicondutor, montado, para montagem em superfície (SMD), 2,5W. FATURA:3031429.
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Transistor montado, próprio para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device) (P/N: 214571100)
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**949573-2150 TRANSISTOR, MONTADO, PTH, TRANSISTOR MOSFET, MONTADO, N-CH, PTH COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 100 W. 949573-2150
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OUTROS TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM300GB066D - 21915520
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD - 3W, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM (TRANSISTOR,SMD,ROHS,ZX5T955GTA,SOT-223,PNP TYPE,140V,MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR,DIODES) PN:SBMS0209550 INV:203685 16-160-020955B SBMS02095
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ORG(A001);PN(3AUA0000119991); Transistor Potencia IGBT 450A 540KW Montado ABB Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4700089664 Item Pedido: 00170 Codigo do Material: 3AUA0000119991 NUMERO DE SERIE:7204800069
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TRANSISTOR PARA MONTAGEM EM PLACA ELETRONICA COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1W - RSR025N05HV2TL / 7GA3C002600 - COD: 34743
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-7430 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 35W 949568-7430
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**EBK64971601, TRANSISTOR, MONTADO POR INSERCAO (PTH), MOSFET, MMF60R280Q, C/ CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 31W, 600V, 0.28 OHM, 13.8A, 3P. EBK64971601
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N SI 40V 100A 216W 3 PINOS MAIS TAB TO-220 TUBO. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONICOS. - CSD
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ORG(A001);PN(3AUA0000119991); Transistor Potencia IGBT 450A 540KW Montado ABB Centro.: MODR - Service - Sorocaba Pedido.: 4300004812 Item Pedido: 00040 Codigo do Material: 3AUA0000119991 NUMERO DE SERIE: 7204800068
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, 2W. SP8K10S-TBB
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A2C00051006 TRANSISTOR MOSFET, CANAL P, COM POTENCIA DE DISSIPAÇÃO DE 3.75W, MONTADA PRÓPRIO PARA MONTAGEM POR SUPERFÍCIE SMD, MODELO FQB34P10TM
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34116343A TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA DE DISSIPAÇÃO DE 51W - IPG20N06S2L-50
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**357G0667650007 TRANSISTOR, MONTADO, PTH, TENSAO 650V, CORRENTE 5,5A, POTENCIA DE DISSIPACAO 29W 357G0667650007
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO SMD.NPN,80V,1A,SOT-89,SMD.DISSIPACAO 1W PN:P651001B-FCAX00 INV:952417324 P651001B-FCAX00
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781-SUD50P06-15L-E3 - Transistor de Efeito Campo MOSFET SMD Canal P 60V 50A 136W encapsulamento TO-252
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS7N65 A4R SMD, 650V / 7A / 100W 12-CS7N65-0BX #821221#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS7N65 A4R SMD, 650V / 7A / 100W 12-CS7N65-0BX #821221#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS7N65 A4R SMD, 650V / 7A / 100W 12-CS7N65-0BX #821221#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANS FET N-CH CS7N65 A4R SMD, 650V / 7A / 100W 12-CS7N65-0BX #821221#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTOR SMD PK610DZ 2N PDFN CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W C045530022 1045530022 SB00001HW00 1045530022
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR DIGITAL PNP SMD; 2W; 20V; 2A B1GBNCEJ0003 B1GBNCEJ0003
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TRA0062 - TRANSISTOR BIPOLAR NPN, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, 200V, PROPRIO PARA ACIONAMENTO DE LED, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 1.5W, ENCAPSULAMENTO SOT89 - ZXTN4006ZTA.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANS,MOSF,SOT23-3,1,3.5A,VDSS,20V,70W 64K000-1
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TRN-0178506-000 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), MONTADO, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 2W, PARA TENSAO DE 30V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 3A, 8SOIC, PROPRIO
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TRANSISTOR ELETRICO TIPO MOSFET, MONTADO, TENSAO 1.500 V, CORRENTE 8 A, JUNCAO CANAL TIPO N, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 320 W, ENCAPSULAMENTO TO-247, PROPRIO PARA MONTAGEM THT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (P.C.I.), PART NUMBER WEG 11627620 Código do M
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100201701 - DGTD65T15H2TF - TRANSISTOR MONTADO MODULO IGBT COM 650V E CORRENTE DE 15A 100°C ITO-220AB-3 - LOTE: 2044-KJ00686A05.MC, 2044-KJ00686A06.MC.
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00213342 - TRANSISTOR MOSFET, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE POTENCIA IGUAL A 1W, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD),SSM3J351R
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TRN-0178506-000 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), MONTADO, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 2W, PARA TENSAO DE 30V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 3A, 8SOIC, PROPRIO
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915MP0020 - TRANSISTOR BUL 128D, MARCA EASTRONIC.
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TRANSISTOR MOSFET HIGH SIDE DRIVER-VN5160STR-E 36V5,4A SMD (P/N: NG.0094034.A)
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Codigo do Material: 07005-A0480100 Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 w atts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mo unted Device-), para uso em placa de circuito impresso de mi crocomputador;Ý4,787489;5;;¨
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1267377477 - TRANSISTOR, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 2W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEMEM SUPERFÍCIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE). UTILIZADO EM UNIDADE DE COMANDOELETRÔNICO. (DA 2016597100-001-1)2016597100-001-1
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ORG(A001);PN(64717839); Nome Comercial: Transistor Potencia ; Tipo: IGBT ; Caracteristica: N/A ; Material Construtivo: Silicio ; Encapsulamento: Plastico ; Polarizacao: PNP ; Caracteristica adicional: Montado ; Tensao: 1700.00 V ; Corrente: 300.00 A
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0505-002386 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA SUPERIOR A 1W ( 1.5W), AO3415AL -
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8905504090 - TRANSISTOR HIFET, MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA DE 21 WATTS,PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), PRÓPRIO PARA LIMTITAÇÃO DE CORRENTE EPROTEÇÃO ESD.* (DA 2014648963-001-1)2014648963-001-1
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TRANSISTOR, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, CAPACIDADE DE DISSIPACAO: 1.6W, ZXMP6A16DN8TR, ZXMP6A16DN8TA. 87.040.00075-1
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLASTICO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO MAXIMA DE POTENCIA DE 158 WATTS, PARA TENSOES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVA COM PROPOSTA DE
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK61933901 EBK61933901, TRANSISTOR, MONTADO EM SUPERFICIE (SMD), TPCA8A11-H, 30V, 35A, 0.0046OHM, 52W, 8P.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.PNP,40V,3A,2W,SOT223,4PINOS,SMD. INV:1D2HV4 P650001B-FDBX00INV:1D2HV4
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ORG(0600);PN(15060549-003);
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RYN1236168/2 TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) DO TIPO NFET, COM TENSAO DE 60V, CORRENTE DE 23A, RESISTENCIA DE 4.2MOHM(VGS=6V) VGS(TH)=2.1-3.3V, ENCAPSULAMENTO POWERPAK SUPERSO8, E TEMPERATURA DE
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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TRA0101 - TRANSISTOR MOSFET CANAL P, MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE SMD, TENSÃO DE -19V, CORRENTE DE -45A, CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 80W, MODELO NCE20P45Q.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. TRANSISTORS, OTHER THAN PHOTOSENSITIVE, WITH A DISSI PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T R 1K 1W, 30MHZ, BCX5116TA. PN:32.40.50.044 32.40.50.044
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 500600000000001
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 500600000000001
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 500600000000001
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 500600000000001
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TRANSISTOR MOSFET TIPO N, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 29W, MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD). REF. 2761
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. , 17.8W, PARA TERMINAL DE CAPTURA DE DADOS (TRANSACOSES COMERCIAIS), MOSFET, WNM2021 SOT-323 TP (MOS TUBE) PN:SBNWNM00J03 INV:B202010047 106030003 SBNWNM00J03
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8909008466 - TRANSISTOR DO TIPO FET, MONTADO COM ENCAPSULAMENTO PLÁSTICO, PRÓPRIO PARAMONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO MÁXIMA DE POTÊNCIA DE158 WATTS, PARA TENSÕES DE 12 V, 24 V E 42 V. UTILIZADO NA INDUSTRIA AUTOMOTIVACOM P
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IRFR5410TRLPBF - Transistor Mosfet, Canal P, 1 canal, 13A, 100V, 3 pinos, 26mOhms, TO-252-3, SMD, para montagem em superficie, para uso em placas de circuitos eletronicos
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A2C00049292 TRANSISTOR MOSFET, COM TECNOLOGIA OMNIFET, POTENCIA DE 7W, MONTADO, SMD
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO 6 RET+6IGBTS+DRLS+GD+GD FRENAG, TENSAO NOMINAL 1,2 kV, CORRENTE 35,0 A, ENCAPSULAMENTO DIPIPM+, TEMPERATURA MAXIMA DE JUNCAO 150,0°C, TI
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TRANSISTOR APRESENTADO MONTADO SENDO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD-SURFACE MOUNTED DEVICE) EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 22W (P/N: 520963550616)
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A2C00042669 TRANSISTOR DE POTÊNCIA, PARA 330V / 25A, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD).
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Transistores c/ montagem em superficie, na seguinte quantidade, especificacao e modelo: 30.000 - Transistor IRLML6402TRPBF - IRLML6402TRPBF.
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. ** SUFRAMA ** 949623-0040 TRANSISTOR, MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 16W 949623-0040
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RYN1236138/3 TRANSISTOR MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE) NFET, COM TENSAO DE 150V, CORRENTE DE 13A, ENCAPSULAMENTO PAK SO8, TEMPERATURA DE OPERACAO: -45/+150ºC, RESISTENCIA DE 1212-8 90MOHM (VGS=10V) VGS(TH)
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AZ949568-4720 TRANSISTOR SMD TRANSISTOR MN638S ECU. 001-07/20(SEA) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1.2W AZ949568-4720
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, SSC8036GQ4, DFN DE 8 TERMINAIS, 30V ,18A ,24W PN:POS01EQ6S803603380 01.EQ6.S803603380A POS01EQ6S803603380
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR FET MOS CANAL N SMD; 2W; 40V; 5A B1CFRE000071 B1CFRE000071
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A31SB00001PQ00 TRANSISTOR, MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS (31.5W), PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE UNIDADE DIGITAL DE PROCESSAMENTO DE DADOS PORTATIL
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A2C00039384 TRANSISTOR MOSFET, CORRENTE MAXIMA 7A, DISSIPAÇÃO 8W, RESISTENCIA 0,068Ohm, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE.
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TRANSISTOR APRESENTADO MONTADO SENDO PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD-SURFACE MOUNTED DEVICE) EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL A 22W (P/N: 520963550616)
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PN: 2SD1005-T2-AZ/BV DESCRICAO: TRANSISTOR,CORRENTE: 1A, TENSÃO: 80V, MONTADO. CODIGO INTERNO: 013.58.011 PO 193404
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TRA0130-RS - TRANSISTOR 600V/2A JCS2N60FB TO-251 - ROHS
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EBK63472401 TRANSISTOR MOSFET(N)MONTADO,PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE(SMD)COM POTENCIA SUPERIOR A 1W,3.1W,30V,50A,AON6994,PARA ALL IN ONE
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TRANSISTOR MOSFET MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 250W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM SMD, 52A DE CORRENTE, 200V DE TENSÃO, D2PAK. UTILIZAÇÃO MONTAGEM EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (PCB) AXION - FUNÇÃO: SEMICONDUTOR DE CORRENTE ELÉTRICA. CÓD: 480024
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0025710-9 - 2SC5200-O - TRANSISTOR - TRANSISTOR MONTADO - 230V 15A - PARA INSERCAO EM PLACAS DE CIRCUITO ELETRONICO E MONTAGEM EM EQUIPAMENTOS ELETRONICOS
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0505-003752 - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 4,6W, PJL9409, AONR21321,P,30V,50A,0.035ohm Pedido: 5304674296 Item Seq: 00020 Fatura: 9015563856
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P/N: PJD14P10A_L2_00001 (1.3.4.1.67) - TRANSISTOR SMD MOSFET CANAL P (60V 12A 55W) MONTADO TO-252AA
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FET -60V 100.0 MOHM DPAK - PO - 485.711 - TRANSISTOR MONTADO SMD(PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE), CAPACIDADE DE DISSIPACAO 57 WATTS, TIPO MOSFET/ - P/N - 1060678
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11152074 - 01.EQ6.N7544DN800A - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 3W, AON7544 ., AON7544 - (INVOICE: BOQ2020070024 - ITEM NR:113). 01.EQ6.N7544DN8
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AP2317GN,P,-20V,-4.2A,0.052O , 1,5W** AP2317GN,P,-20V,-4.2A,0.052O , 1,5W** 0505-002598
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 5006000000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR MONTADO, MOSFET CHANNEL 30V 9.2A DUAL SOIC8(10011013) IRF9358TRPBF - PART NUMBER: 40271 - PRODUTO A SER UTILIZADO EM NOSSA LINHA DE PRODUÇÃO DE ELETRONICOS - INVOICE 011824219
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TRANSITOR MONTADO SMDXSTR-BP,NPN,80V,1A,1.4W,4 PIN,SOT223,SMD. INV:1D2HVY P611004D-FDAX00INV:1D2HVY
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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 800V 650W 24A 3 PINOS 3 TAB TO247AD PTH. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONICOS. -
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MOSFET AP10N7R5H: Mosfet canal N próprio para montagem em superfície (SMD - Surface Mounted Device ), tensão máxima 100V/7,5mOhm/78A e encapsulamento TO-252(H)., BMT code: 01.030.00043, nº do produto: MOSFET AP10N7R5H
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TRANSISTOR ELETRICO TIPO TJB, MONTADO, TENSAO 1.700 V, CORRENTE 4 A, JUNCAO CANAL TIPO N, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 50 W, ENCAPSULAMENTO TO-247-4L, PROPRIO PARA MONTAGEM THT EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO (P.C.I.), PART NUMBER WEG 10829286 Código do Ma
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, HP8K24TB, DFN DE 8 TERMINAIS, 30V ,27A ,32W PN:POS01EQ6HP8K24TS08 01.EQ6.HP8K24TS08A POS01EQ6HP8K24TS08
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A2C00062508 TRANSISTO T FET/-,MOS,POWER,TO-252 PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE SMD --> T FET/-,MOS,POWER,TO-252
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, MOSFET P STL42P6LLF6, 4,8W POWERFLAT. 041158000
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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1176.0093.0016 - TRANSISTOR MONTADO SMD 40V 20A , CAPACIDADE DE DISSIPACAO 15.6W N-CH PPAKSO-8, INVOICE NR.: 59488635, ITEM: 5, O.C.: 9000049573/00005
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. ** SUFRAMA ** 949568-9620 TRANSISTOR PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) TRANSISTOR, CHIP COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 45W 949568-9620
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**EBK63611801 EBK63611801, TRANSISTOR BIPOLAR MONTADO, PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 1,1W, ZXTN19020DZQTA, NPN, 7V, 70V, 7.5A, 20A, 210, 1.8W, SOT89 R/TP 3P.
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO. **SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA,TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 6A, RESISTENCIA: 51 OHMS 301301010000001 301301010000001
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 1.200 V, CORRENTE 450 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 11 W, ENCAPSULAMENTO ECONO2, PROPRIO PA
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031.0090.0008 - TRANSISTOR MONTADO SMD 40V 10A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 3.2W N-CH/P-CH SO-8, INVOICE NR.: 612297, ITEM: 1, O.C.: 9000049093/00001
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19887 - TRANSISTOR MOSFET P-CH 30V 85A TO252 AOD403TRANSISTOR DE CANAL P DE TECNOLOGIA MOSFET COM TENSAO MAXIMA ENTRE DRAIN E SOURCE DE 30V, CORRENTE MAXIMA DE 15A, POTENCIA DE DISSIPACAO DE2,5W E TEMPERATURA MAXIMA DE DISSIPACAO DE 175°C. JUNCAO NAO
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TRANSISTOR DE POTENCIA, MONTADO COM DISSIPADOR DE CALOR EM ALUMINIO, CONECTOR PLASTICO E CIRCUITO ELETRONICO DE PROTECAO DE SOBRETEMPERATURA. TEM A FUNCAO DE CONTROLE DA VELOCIDADE DO ELETROVENTILADOR DA UNIDADE DE AR CONDICIONADO AUTOMOTIVO 12V.NR.#
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** AOD2910E,N,100V,37A,23MOHM,7** 0505-003755
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A2C00050643 TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA SUPERIOR A 1W(60W), MODELO SPD30N03S2L-20
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11152073 - 01.EQ6.S803603380A - TRANSISTOR MOSFET MONTADO, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD), COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 24W, SSC8036GQ4., SSC8036GQ4 - (INVOICE: BOQ2020070028 - ITEM NR: 112). 01.EQ6.S
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TRANSISTOR MONTADO SMD.PNP,60V,12A,D-PAK,SMD.DISSIPACAO 55W INV:1D23XN P651106B-FFFAMAINV:1D23XN
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031.0093.0003 - TRANSISTOR MONTADO SMD 30V 6A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2W PCH SOIC, INVOICE NR.: 3072094, ITEM: 3, O.C.: 9000048254/00011
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, POTENCIA DISSIPADA: 1,4W CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 3013010200
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD 20V,7.9A,0.05OHM,8V,DFN2020-6 CAPACIDADE DE DISSIPAC O 1,3W 15060445
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A2C00050643 TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA SUPERIOR A 1W(60W), MODELO SPD30N03S2L-20
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A2C00032771 TRANSISTOR COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO SUPERIOR A 1W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE(SMD).
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A2C00000553 TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA SUPERIOR A 1W(20W), MODELO MJD42CT4G, FABRICANTE ON SEMICONDUCTOR
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A2C00000553 TRANSISTOR MONTADO, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD), COM POTÊNCIA SUPERIOR A 1W(20W), MODELO MJD42CT4G, FABRICANTE ON SEMICONDUCTOR
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. MOSFET CANAL P 12V,5.5A,1.4W,DFN22-6L,UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA (DE USO EM INFORMATICA) PN:PSM01424 INV:WZ2007XS0003HWHH B10603000005 PSM01424
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. ** SUFRAMA ** 949568-9650 TRANSISTOR MONTADO,SMD TRANSISTOR, CHIP PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 120W 949568-9650
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. SSF3611E, 2WATTS, PARA FABRICACAO DE PCI DE MODEM PN:SBSN3611G03 INV:146101 SBSN3611G03 SBSN3611G03 SSF3611E
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084.21307.0037 TRANSISTOR,MONTADO COM POTENCIA DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 WATTS, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD - SURFACE MOUNTED DEVICE), PARA USO EM PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO DE MICROCOMPUTADOR 161356 P/N:
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Codigo do Material: 0704-04ST0DE Transistor,montado com potencia de dissipacao Superior a 1 watts, proprio para montagem em superficie (SMD - -Surface Mo unted Devic e-), para uso em placa de circuito impresso de microcomputador;Ý9,088529;5;;¨
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR PJT7838 2N SOT363-6C045420011CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W : 26W 1045420011 SB00001HM00 1045420011
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TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N 300V 42A 300W AUTOMOTIVO 3 PINOS MAIS TAB TO-220AB TUBO. SENDO: TRANSISTOR MONTADO, COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO IGUAL OU SUPERIOR A 1 W. FUNCAO: AMPLIFICACAO E CHAVEAMENTO DE SINAL ELETRICO. APLICACAO: CIRCUITOS ELETRONI
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, FET, (PD=1.9W). TPC8053H-TBB
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TRANSISTOR MOSFET - STB36NF06L -CANAL N ; 70W (P/N: NF.0120537.A)
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TRANSISTOR MOSFET - STB36NF06L -CANAL N ; 70W (P/N: NF.0120537.A)
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TRANSISTOR MOSFET - STB36NF06L -CANAL N ; 70W (P/N: NF.0120537.A)
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TRANSISTOR MOSFET - STB36NF06L -CANAL N ; 70W (P/N: NF.0120537.A)
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TRANSISTOR MOSFET - STB36NF06L -CANAL N ; 70W (P/N: NF.0120537.A)
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (FET LP3401LT1G-PFET)TENSAO 30V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 4.2A, RESISTENCIA: 70 OHMS 301301020000015 30130
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TRANSISTOR IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA), COMERCIALMENTE DENOMINADO MODULO TRANSISTOR, MONTADO, TIPO RET 6 DIODOS E INV 6 IGBTS+DRL, TENSAO NOMINAL 600 V, CORRENTE 30 A, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 8,5 W, ENCAPSULAMENTO EASY2, PROPRIO PARA
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR PNP 50V 500MA; 5W B1ADGF000021 B1ADGF000021
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD, BD9515NUX-E2, DFN DE 8 TERMINAIS, 32V ,15A ,50W PN:POS01EU6D9515NUT08 01.EU6.D9515NUT08A POS01EU6D9515NUT08
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RYN1234669 - Transistor NFET, tensão:100V, corrente:12.4A, potência 2,5W, encapsulamento plastico:PowerPAK SO8, temperatura de operação:-55/+150° C, 13.5mohm(Vgs=6V) Vgs(th)=2-4V, próprio para montagem em superfície. (DA 2013937112-034-1)2013937112-0
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20-100235-01 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE METAL OXIDO SEMICONDUTOR (MOSFET - METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR), MONTADO, COM POTENCIA DE DISSIPACAO DE 104W, PARA TENSAO DE 100V, COM INTENSIDADE DE CORRENTE DE 60A, SO-8, PROPRIO
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD.**SUFRAMA**11129639 - 07G005154010AK - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, MONTADO, COM JUNCAO HETEROGENEA HJFET, PROPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFICIE (SMD) COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO DE 29.8W - P-MOS SM3337PSQGC-TRG DFN3x3-8 - I
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TRANSISTOR MOSFET TIPO N, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE 200W, MONTADO. REF: 262
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** FCX591A,PNP,1000MW,SOT89,TR,30/** 0502-001346
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NCE30TD60B/977 TRANSITOR IGBT 600V 30A TO-220 (NCE30TD60B)
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448.184.JJM, TRANSISTOR MOSFET 58A 60V TO-220C, JMTC58N06A
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. P-MOSFET EMB20P03A TO-252 CAPACIDADE DE DISSIPAC O 42W PQ4504. , UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07005-01550000 07005-01550000 07005-01550000
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD. N-MOSFET P3202CMG SOT-23 NIK CAPACIDADE DE DISSIPAC O 1,25W, UTILIZADO NA PLACA DE CIRCUITO IMPRESSO MONTADA PN:07G005788010 07G005788010 07G005788010
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO MOS COM CORRENTE MAXIMA 300MA E CAPACITADE DE DISSIPAC O DE 1,5W CPVD003AW
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR MONTADO MOS COM CORRENTE MAXIMA 200MA E CAPACITADE DE DISSIPAC O DE 200MW SOT-23 CPVD003DG
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**51032UL00-77W-H TRANSISTOR, MONTADO, SMD, TENSAO DE 60V, CORRENTE DE 13,4A E POTENCIA DE DISSIPACAO DE 2W 51032UL00-77W-H
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OUTROS TRANSISTOR MONTADO COM CAPACIDADE DE DISSIPACAO SUPERIOR A 1 W - SKM300GB12T4 - 22892070
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TRANSISTOR, MONTADO, PTH. **SUFRAMA**N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** N-CH FET,MMSF60R280QTH, 308,<=1KVA** BN83-11543A
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TRANSISTOR, MONTADO, SMD. **SUFRAMA**TRANSISTOR, MONTADO, SMD.TRANSISTOR SIZ340DTT1GE3 2NC045010052CAPACIDADE DE DISSIPAC O SUPERIOR OU IGUAL A 1W - FAVOR INFORMAR CAPACIDADE = 31W 1045010052 SB00001EC00 1045010052
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A2C53008241 - TRANSISTOR TIPO MOSFET, REFERÊNCIA IRF-5210S-TRL, COM CAPACIDADE DE DISSIPAÇÃO DE POTÊNCIA DE 3.8W, PRÓPRIO PARA MONTAGEM EM SUPERFÍCIE (SMD). (DA 2007395443-001-1)2007395443-001-1
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA, MONTADO.**SUFRAMA**TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, COM JUNCAO HETEROGENEA. (N-MOS CJ3134KDW-N-CHANNEL-20V-0.75A-800MO-SOT-363)TENSAO 20V, COLETOR DE DISSIPACAO: 0.35W, CORRENTE: 0.75A, RESISTENCIA
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TRANSISTOR SMD BCP56 NPN 1,50W (P/N: 520363520276)
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ORG(ACE); PN(886013); TRANSISTOR, EXCETO OS FOTOTRANSISTORES, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2,5W, MONTADO, PART NUMBER:IRF7468TRPBF FABRICANTE:IR/INFINEON -886013- IRF7468TRPBF
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ORG(ACE); PN(886013); TRANSISTOR, EXCETO OS FOTOTRANSISTORES, CAPACIDADE DE DISSIPACAO 2,5W, MONTADO, PART NUMBER:IRF7468TRPBF FABRICANTE:IR/INFINEON -886013- IRF7468TRPBF
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