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Veja na lista abaixo os produtos mais importados para este NCM.

   Ordens de importação do NCM - 38180010 : Elementos químicos impurificados (dopados), próprios para utilização em eletrônica, em forma de discos, plaquetas (wafers), ou formas análogas; compostos químicos impurificados (do

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 7011101314, 12 0.8UM/17000PCS, P/N:60091912,MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T G 512GB X8 12 POLE
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 Análise estatística do NCM
LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL DO SOLID STATE DRIVE**SUFRAMA**LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL
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LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL DO SOLID STATE DRIVE**SUFRAMA**LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL
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LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL DO SOLID STATE DRIVE**SUFRAMA**LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR.12 0.8UM/17000PCS 7011101034, 3D NAND 64GX8(512GB)TLC(B. DIE WAFER NAND FLASH DIGITAL ET6XN5A-HS,
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LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL DO SOLID STATE DRIVE**SUFRAMA**LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CR
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 Análise estatística do NCM
LAMINA WAFER DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADA COM BORO (B), PARA CI DE MEMORIA DO TIPO NAO-VOLATIL DO SOLID STATE DRIVE**SUFRAMA**LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CR
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 Análise estatística do NCM
LAMINA DE SILICIO 125mm - LAM.SILIC. D.125/350/S1-69 - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 36663500UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINA DE SILICIO 100mm - LAM.SILIC. D.100/280UM RESIS. - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 35658800UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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 Análise estatística do NCM
1000020 ELEMENTO QUIMICO DOPADO, PROPRIO PARA UTILIZACAO EM ELETRONICA, EM FORMA DE WAFER. WAFER DE SILICIO PARA CALIBRACAO DA MAQUINA DE CORTE DE WAFERS - 12 POLEGADAS. PRODUTOSERA UTILIZADO PARA TESTE E INSPECAO DE INTEGRIDADE DO MATERIAL APOS O TR
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 Análise estatística do NCM
LAMINA SILICIO 125mm - LAMINAS DE SILICIO - RESISTIVIDADE/65-85 (HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE) - P/N 38630500UTILIZADO NO PROCESSO DE FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINA DE SILICIO 100mm - LAM.SILIC. D.100/280UM RESIS. - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 35658800UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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 Análise estatística do NCM
LAMINAS DE SILICIO - LAMINA DE SILICIO - Lam silic D 125/285 um res 60-80 cz- UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 35678800
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LAMINA SILICIO 125mm - LAMINAS DE SILICIO - RESISTIVIDADE/65-85 (HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE) - P/N 38630500UTILIZADO NO PROCESSO DE FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINAS DE SILICIO - LAMINA DE SILICIO LAM.SILIC.CZ D125/350UM CZ 51-69-UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 36703400
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Wafer de Silicio sobre Isolante (SOI) 150mm. 675um - Dispositivo SSP Prime SOI Camada: 220 nm, Óxido: 2 um.
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, 7011A01314,B27 BIN11, MT29F512G08EBLCEB27B3WC1_R, A/MI T GIN
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 7011101314, 12 0.8UM/17000PCS, P/N:60091912,MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T G 512GB X8 12 POLE
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENORWAFER, 12 0.8UM/17000PCS 70111E0104YMTC, P/N:YMN08TE1W00C3B, PN:70111E01045, INV:PI20210826001
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LAMINA DE SILICIO 125mm - LAM.SILIC. D.100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 35658800UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
2021-10  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
 Análise estatística do NCM
LAMINAS DE SILICIO - LAM.SILIC. D.125/350UM CZ 51-69 release 04 - PN 36703400 UTILIZADO NO PROCESSO DE FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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 Análise estatística do NCM
LAMINAS DE SILICIO - LAPPED SILICON WAFER, 4 - LAM.SILIC. D.100/250UM RESIS.40-60 - P/N 36669600 UTILIZADO NO PROCESSO DE FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, 7011A01314,B27 BIN11, MT29F512G08EBLCEB27B3WC1_R, A/MI T GIN
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, B16 Bin11, MANUF.P/N:MT29F256G08EBCAGB16A3WC1_MISC11, 70111A00955 12 0.8UM/17000PCS MICRON
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, P/N:70110B0170, WAFER, 12 0.8UM/17000PCS,PN:70110B01703, INV:PI20210617001
2021-07  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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LAMINAS DE SILICIO - LAM. Silic. D.125/350 um Res 51-69 LAMINA DE SILICIO-UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 36703400
2021-07  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, 7011A01314,P/N: 60091913, MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T
2021-07  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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LAMINA DE SILICIO 125mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 36663500
2021-06  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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LAMINA DE SILICIO 100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 38564600
2021-06  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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LAMINA DE SILICIO 100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 38564600
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2021-06  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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Modulos Peltier / Pastilhas Termoeletricas, nas seguintes quantidades, especificacoes e modelos: 1.000 - Peltier Element TEC1-12706 no Logo with PN marking 100,000 hours Life Expectancy version - TEC1-12706;5.000 - Peltier Element TEC1-12706 with
2021-03  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)  -  Detalhes(cadastre-se aqui)  -  Validar NCM pela descrição
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