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Veja na lista abaixo os produtos mais importados para este NCM.

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, P/N:70111D00949, WAFER 12 0.8UM/17000PCS MICRONPN:70111D00949 INV:PI20210318001
2021-03  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1030 12 0.8UM/17000PCS,DIE NAND FLASH DIGITAL ET6ST0x-HS, 6440001300H, PN:70111A1030
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 7011101314, 12 0.8UM/17000PCS, MICRON, MT29 60091912,MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T G 512GB X
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 7011101315 12 0.8UM/17000PCS, MT29F512G08EBLCEB27B,TLC 512Gb B27 wafer, MANUF. P/N:MT29F51
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 70110B01703, 70110B0170, P/N: 70110B0170, WAFER, 12 0.8UM/17000PCSPN:70110B01703, INV:PI202103180
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, TLC 256Gb B16 WAFER, MANUF. P/N:MT29F256G08EBCAGB16A3WC1,70111000955 12 0.8UM/17000PCS MIC
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LAMINA DE SILÍCIO - LAMINA DE SILICIO 100MM LAMINA DE SILICIO - HYPER PURE SILICON UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 35659400
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MC107377 - WAFER DE CARBONETO DE SILICIO, DOPADO COM NITROGENIO, SEMI ISOLANTE, DIAMETRO 2POL, ESPESSURA 0.3-0.5MM, POLITIPO 4H, PROPRIO PARA UTILIZACAO EM ELETRONICA, EM LABORATORIO DE PESQUISA, CODIGO 4H-SIC 0001, PAM-XIAMEN
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LAMINA DE SILICIO 125mm - LAM.SILIC. D.125/350/S1-69 - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 36663500 UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINA DE SILICIO 100mm - LAM.SILIC. D.100/280UM RESIS. - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 35658800 UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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Modulos Peltier / Pastilhas Termoeletricas, nas seguintes quantidades, especificacoes e modelos: 1.000 - Peltier Element TEC1-12706 no Logo with PN marking 100,000 hours Life Expectancy version - TEC1-12706;5.000 - Peltier Element TEC1-12706 with
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MC107376 - WAFER DE CARBONETO DE SILICIO, DOPADO COM NITROGENIO, DIAMETRO 2POL, ESPESSURA 0.3-0.5MM, POLITIPO 6H, PROPRIO PARA UTILIZACAO EM ELETRONICA, EM LABORATORIO DE PESQUISA, CODIGO 6H-SIC 0001, PAM-XIAMEN
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LAMINAS DE SILICIO - LAM SILIC,D.125/285um LAMINA DE SILICIO-UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 35678800
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Wafers de Silicio, Ultra-planos, 4 polegadas (20 quantidades) em caixa de wafers. Qualificacao Prime/FZ Orientacao <100> Resistividade >8000 O/cm Face frontal: polida Face de tras: corroida Espessura do substrato: 500 æm +/- 10 æ
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MC107375 - WAFER DE CARBONETO DE SILICIO, DOPADO COM NITROGENIO, DIAMETRO 2POL, ESPESSURA 0.3-0.5MM, POLITIPO 4H, PROPRIO PARA UTILIZACAO EM ELETRONICA, EM LABORATORIO DE PESQUISA, CODIGO 4H-SIC 0001, PAM-XIAMEN
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, MIRROR WAFER, P/N:1951000010, DUMMY 12INCH T750 +-50UM, PN:19510000108,INV:JM20210225001
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LAMINAS DE SILICIO - LAM SILIC,D.100/250um LAMINA DE SILICIO-UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 36669600
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR , 12 70111A1314 0.8UM/17000PCS, 60091913 MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T GIN 512GB X8 12 POLEGA
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, MT29F512G08EBLCEB27B_MISC11,B27 Bin11, MANUF. P/N:MT29F512G0
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR), MIRROR WAFER, DUMMY 12INCH T750 +-50UM, 12 POLEGADAS, MIRROR DUMMY WAFER (THICKNESS : 750-800UM)
2021-03  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

MGE01655 - (Filter 11.8 x 11.8 mm) FILTRO QUADRADO DE SILICIO PARA UTILIZACAO EM SENSORES DE PRESENCA
2021-03  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, B16 Bin11, MANUF.P/N:MT29F256G08EBCAGB16A3WC1_MISC11, 70111A00955 12 0.8UM/17000PCS MICRON
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, TLC 256Gb B16 wafer, MANUF. P/N:MT29F256G08EBCAGB16A3WC1,70111000955 12 0.8UM/17000PCS MIC
2021-02  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

WAFER IMEC - Micro dispositivos fotonicos integrados em placa (wafer) silicio monocristalino de 200mm de diametro
2021-02  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

LAMINAS DE SILICIO - LAMINA DE SILICIO,D.100/250um UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 36669600
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Bolacha de Si tipo N / dopado 100 mm de diametro. x 0,5 mm tkOrientacao: (100) +/- 0,5 ° Superficie: um lado polidoResistividade: gt; 1000 ohm-cm
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE 111 OU 100 , 12 70111A1314 0.8UM/17000PCS, 60091913 MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T GIN 512GB X8 12 POLEGADAS 1.2V 96LPN:70111
2021-02  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, B16 Bin11, MANUF.P/N:MT29F256G08EBCAGB16A3WC1_MISC11, 70111000955 12 0.8UM/17000PCS MICRON
2021-02  -  qtd: (login necessário)  -  valor: (login necessário)