NCM 38180010

Acesse a área exclusiva e obtenha informações detalhadas dos processos de importação.

Veja na lista abaixo os produtos mais importados para este NCM.

Ordens de importação do NCM - 38180010 : Elementos químicos impurificados (dopados), próprios para utilização em eletrônica, em forma de discos, plaquetas (wafers), ou formas análogas; compostos químicos impurificados (do

LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1030 12 POLEGADAS 0.8UM/17000PCS,DIE NAND FLASH DIGITAL ET6ST0x-HS, 6440001300H, PN:
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, P/N:70111D00949, WAFER 12 0.8UM/17000PCS MICRONPN:70111D00949, INV:PI20210519001
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 7011101315 12 0.8UM/17000PCS,TLC 512Gb B27 wafer, MANUF. P/N:MT29F512G08EBLCEB27B3WC, PN:7
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 7011101314, 12 0.8UM/17000PCS, P/N:60091912,MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T G 512GB X8 12 POLE
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, P/N: 70110B0170, WAFER, 12 0.8UM/17000PCSPN:70110B01703, INV:PI20210519001
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, TLC 512GB BICS5 WAFER, P/N:ET6XH8A-HS, 12 0.8UM/17000PCS 7011101035. PN:7011101035, INV:B11-21060
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1000020 ELEMENTO QUIMICO DOPADO, PROPRIO PARA UTILIZACAO EM ELETRONICA, EM FORMA DE WAFER. WAFER DE SILICIO PARA CALIBRACAO DA MAQUINA DE CORTE DE WAFERS - 12 POLEGADAS. PRODUTOSERA UTILIZADO PARA TESTE E INSPECAO DE INTEGRIDADE DO MATERIAL APOS O TR
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WAFER IMEC - Micro dispositivos fotonicos integrados em placa (wafer) silicio monocristalino de 200mm de diametro. Lot Number: IBY35501.1. Warfer ID: 9, 10, 11, 12, 22 .
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LAMINA DE SILÍCIO - LAMINA DE SILICIO 100MM LAMINA DE SILICIO - HYPER PURE SILICON UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 35659400
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LAMINA DE SILICIO 125mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 36663500
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LAMINA DE SILICIO 100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 38564600
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LAMINA DE SILICIO 100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 35698000
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LAMINA DE SILICIO 100mm - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - UTLIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - 35658800
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Elemento químico dopado em forma de wafer para utilização em eletrônica. Wafer de silício dopado com boro. 4 polegadas. Sendo: wafer_shipper_6_inch.
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Elemento químico dopado em forma de wafer para utilização em eletrônica. Wafer de silício dopado com boro. 4 polegadas. Sendo: wafer_shipper_4_inch.
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, ,B27 BIN11, MANUF. P/N:MT29F512G08EBLCEB27B3WC1_MISC11 PN:70
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16006 Bolacha de silicio - substrato. Descricao: 4 (10cm)diamentro, quadrados 10 x 10 mm de bolacha de silicio, 55peca/bolacha - LOTE: 210317
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Elemento químico dopado em forma de wafer para utilização em eletrônica. Wafer de silício dopado com boro. 4 polegadas. Sendo: wafer_shipper_8_inch.
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, WAFER, 70111A1314 12 0.8UM/17000PCS, 7011A01314,P/N: 60091913, MT29F512G08EBLCEB27B3WC1-R, A/MI T
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, BIN22, MANUF. P/N:ET6XH8A-HS_MISC22, PN:70111B10358, INV:B11-210608010
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, BIN11, MANUF. P/N:ET6XH8A-HS_MISC11, 12 0.8UM/17000PCS 70111A1035 BIN22, PN:70111A10357, INV:B11-
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LAMINAS DE SILICIO - LAM.SILIC. D.100/360UM RESIST. /51-69 - HYPER PURE SILICON, MONO, WAFER, DISCRETE - PN 35659400 UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES
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LAMINAS DE SILICIO UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - LAM.SILIC.D.125/285UM RES 60-80 CZ - 35678800
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MATERIAL DE USO EXCLUSIVO EM PESQUISA CIENTÍFICA, SENDO: WAFER DE SILICIO COM DIÂMETRO DE 3?, ORIENTAÇÃO N / PH <100> 1-5 OHM-CM, 350 ± 25UM DE ESPESSURA, GRAU PRIMÁRIO DSP ESPESSO C / 2 SEMI-STD PLANOS E 40.000 A° ± 5% DE ÓXIDO TÉRMICO ÚMIDO EM AMBO
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LAMINAS DE SILICIO UTILIZADO NA FABRICACAO DE SEMICONDUTORES - LAM.SILIC.D.125/350UM RES 51-69 CZ - 36703400
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, P/N:70111D00949, WAFER 12 0.8UM/17000PCS MICRONPN:70111D00949 INV:PI20210318001
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LAMINAS DE SILICIO MONOCRISTALINO DO TIPO P, DOPADAS COM BORO (B), COM OU SEM CAMADA EPITAXIAL, ORIENTACAO CRISTALINA DE MAIOR111MENOR OU MAIOR100MENOR, 70110B01703, 70110B0170, P/N: 70110B0170, WAFER, 12 0.8UM/17000PCSPN:70110B01703, INV:PI202103180
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Modulos Peltier / Pastilhas Termoeletricas, nas seguintes quantidades, especificacoes e modelos: 1.000 - Peltier Element TEC1-12706 no Logo with PN marking 100,000 hours Life Expectancy version - TEC1-12706;5.000 - Peltier Element TEC1-12706 with
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LAMINAS DE SILICIO - LAMINA DE SILICIO,D.100/250um UTILIZADO NA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES 36669600
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